Bei dem TPD3S713Q1EVM-103 handelt es sich um Evaluierungsmodule (EVM) für den TPD3S713-Q1, eine Ein-Chip-Lösung für den Batteriekurzschluss-, Kurzschluss- und ESD-Schutz von Hochgeschwindigkeits-Daten- und Stromleitungen in USB-Hub- und Haupteinheit-Anwendungen der Automobilindustrie.
Merkmale
- Eingangsbetriebsbereich von 4,5 V bis 5,5 V
- Integrierter Highside-MOSFET mit 73 mΩ (typ.)
- Schutz vor Batteriekurzschluss (bis zu 18 V) und Schutz vor VBUS-Kurzschluss an den Pins DM_IN und DP_IN
- DP_IN und DM_IN ausgelegt nach IEC 61000-4-2 mit ± 8 kV Kontaktentladung und ± 15 kV Luftentladung
- Hochgeschwindigkeits-Daten-Switches (1,2 GHz Bandbreite)
- Einstellbare Strombegrenzung von 50 mA bis 600 mA (± 13,5 % bei 200 mA)