LMG1205HBEVM

LMG1205 GaN 전력계 평가 모듈

LMG1205HBEVM

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개요

80V 10A 전력계 EVM - LMG1205 하프 브리지 EVM 보드는 외부 PWM 신호를 위한 작고 사용이 간편한 전력계입니다. 이 EVM은 다양한 DC-DC 컨버터 토폴로지에서 GaN 하프 브리지를 구동하는 LMG1205의 성능을 평가하는 데 적합합니다. 하프 브리지의 성능을 추정하여 효율을 측정하는 데 사용할 수 있습니다. 이 모듈은 최대 10A의 전류를 공급할 수 있습니다. 그러나 온 보드 부품의 최대 작동 온도 사양을 초과하지 않도록 적절한 열 관리(강제 공기, 저주파에서 실행 등)를 따라야 합니다. 이 EVM은 개방형 루프 보드이기 때문에 과도 측정에는 적합하지 않습니다.

특징
  • 입력 전압은 최대 80V까지 작동
  • GaN 하프 브리지를 구동하는 LMG1205의 성능 평가를 위한 단순한 개방형 루프 설계
  • 온보드 선형 레귤레이터에서 생성된 VDD 공급
  • 데드 타임이 8ns 미만인 PWM 신호를 위한 온보드 단일 PWM 입력
  • 효율성 측정을 위한 입력 및 출력에 대한 켈빈 감지 기능
  • 출력 전류 센스 션트 저항
선형 및 저손실(LDO) 레귤레이터
LP38690 1A, 10V, 저손실 전압 레귤레이터

 

하프 브리지 드라이버
LMG1205 GaNFET 및 MOSFET용 5V UVLO를 지원하는 1.2A, 5A 90V, 하프 브리지 게이트 드라이버
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평가 보드

LMG1205HBEVM — LMG1205 GaN Power Stage Evaluation Module

지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
TI.com에 재고 없음
TI.com에서 구매할 수 없음

LMG1205HBEVM LMG1205 GaN Power Stage Evaluation Module

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버전: null
출시 날짜:
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

설계 파일

기술 자료

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2개 모두 보기
유형 직함 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* EVM User's guide Using the LMG1205HBEVM 2017. 3. 22
인증서 LMG1205HBEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2019. 1. 2

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