TPS51116EVM-001

TPS51116 記憶體功率解決方案,同步降壓控制器評估模組

TPS51116EVM-001

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The TPS51116EVM evaluation module (EVM) is a dual-output converter for DDR and DDRII memory modules. It uses a 10 A synchronous buck converter to provide the core voltage (VDDQ) for DDR memory modules. The EVM is designed to use a 4.5 V to 28 V supply voltage and a 4.75 V to 5.25 V controller bias supply. This allows the EVM to start up from a single 5 V supply or operate from a wide range of supply voltages with low power 5 V bias supply. The TPS51116EVM provides several jumpers and switches to allow the user to evaluate all of the TPS51116's configurations including lossless RDS(on) or resistive current sensing, current mode or D-CAP™ semi-hysteretic operation, DDR or DDRII voltage standards and the S3 and S5 sleep states.

特點
  • Up to 85% efficiency on the VDDQ switching regulator output
  • Dual switching regulator / LDO output for both DDR core and termination voltages
  • ± 3 A sink/source termination voltage LDO regulator
  • 10 mA termination reference voltage for DDR input reference
  • User selectable DDR and DDRII or externally referenced supply voltages
  • User selectable switching regulator or external supply source for LDO termination regulator
  • Switches available for testing S3 and S5 sleep states
DDR 記憶體電源 IC
TPS51020 雙路 DDR 可選擇同步降壓控制器

 

MOSFET
CSD17307Q5A 30-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 5 mm x 6 mm、12.1 mOhm CSD17505Q5A 30-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 5 mm x 6 mm、3.5 mOhm

 

多通道 IC (PMIC)
TPS51100 3A 源極/汲極 DDR 終端器穩壓器 TPS51116 完整的 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 電源解決方案同步降壓控制器,3A LDO TPS51116-EP 強化型產品 DDR1、DDR2、DDR3 切換器和 LDO
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證書 TPS51116EVM-001 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019/1/2
使用指南 Using the TPS51116 (Rev. A) 2008/11/12

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