TI突破電源設計極限的全新產品組合,協助工程師實現領先業界的功率密度

採用耐熱增強型封裝技術的100V GaN功率級解決方案尺寸縮小超過40%,在提升電源效率的同時,降低切換損耗達50%

6 3 月 2024 | 產品與技術

(台北訊 2024 年 3 月 6 日) –德州儀器(TI)(納斯達克股票代碼:TXN)推出兩款新型功率轉換器產品組合,協助工程師在更小的空間內實現更大的功率,以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化鎵(GaN)功率級採用耐熱增強型雙面冷卻封裝技術,可簡化散熱設計並在中電壓應用裡實現超過1.5kW/in3的最高功率密度。TI採用整合式變壓器的新型1.5W隔離式DC/DC模組是業界最小且功率密度最高的模組,可協助工程師將汽車和工業系統中的隔離式偏壓電源尺寸縮小89%以上。

如需詳細資訊,請參閱TI.com/LMG2100TI.com/UCC33420-Q1

TI高壓電源總經理Kannan Soundarapandian表示:「對於電源設計人員來說,在有限的空間內提供更高的功率始終是關鍵的設計挑戰。以資料中心為例,如果工程師能夠設計功率密集的伺服器電源解決方案,資料中心就能更有效率地運作,以滿足不斷增長的處理需求,同時最大限度地減少對環境的影響。我們很高興能夠透過不斷創新,協助工程師實現最高的功率密度、效率和熱性能,持續突破電源管理的極限。」

透過100V整合式GaN功率級提高功率密度和效率

藉由TI的新型100V GaN功率級LMG2100R044和LMG3100R017,設計人員可以將中電壓應用的電源解決方案尺寸縮小40%以上,並透過GaN技術更高的切換頻率,實現超過1.5kW/in3領先業界的功率密度。與矽基解決方案相比,新的產品組合還可降低切換功率損耗達50%,同時由於輸出電容和閘極驅動損耗較低,可實現高於98%的系統效率,例如,在太陽能逆變器系統中,更高的密度和效率使相同面板能夠儲存和產生更多的電力,同時降低整個微型逆變器系統的尺寸。

100V氮化鎵產品組合中提升熱性能的一個關鍵推動因素,是TI的耐熱增強型雙面冷卻封裝,與競爭對手的整合式GaN裝置相比,此技術能夠更有效地從裝置兩側散熱,並提供更好的熱阻。

若要深入了解TI的100V GaN功率級在中電壓應用中的優勢,請參閱技術文章「GaN 將改變電子設計的 4 種中電壓應用」。

縮小偏壓電源尺寸達89%以上

TI新型1.5W隔離式DC/DC模組的功率密度是離散式解決方案的八倍以上,且高於競爭對手的模組達三倍,採用4mm x 5mm超薄尺寸無引腳(VSON)封裝,可為汽車和工業系統提供最高的輸出功率和隔離能力(3kV)。藉由TI的UCC33420-Q1和UCC33420,設計人員還可以使用更少的元件和簡單的濾波器設計,輕鬆滿足嚴格的電磁干擾(EMI)要求,例如國際無線電干擾特別委員會(CISPR)32和25。

新模組採用TI的新一代整合式變壓器技術,在偏壓電源設計中無需外部變壓器,與離散式解決方案相比,該技術使工程師能夠將解決方案尺寸縮小89%以上,降低多達75%的高度,並且減少一半的物料清單。

透過這個在小型封裝中首個符合汽車標準的解決方案,設計人員可以減少電池管理系統等電動車系統偏壓電源解決方案的佔位面積、重量和高度;對於資料中心這種空間有限的工業電力傳輸,新模組更使設計人員能夠最大限度地減少印刷電路板面積。

若要深入了解TI的1.5W隔離式DC/DC模組的優勢,請參閱技術文章「新型隔離式 DC/DC 模組如何協助解決功率密度挑戰」。

封裝、供貨狀況與定價

現已在TI.com上提供LMG2100R044 LMG3100R017 100V GaN功率級量產數量,並提供UCC33420、UCC33420和UCC33420-Q1 1.5W隔離式DC/DC模組預生產數量,更提供多種付款和運送選項,歡迎選購。

關於德州儀器

德州儀器(納斯達克股票代碼:TXN)為位居世界領導地位的全球半導體公司,致力於設計、製造、測試以及銷售類比和嵌入式半導體晶片,為工業、汽車、個人電子、通訊設備和企業系統等市場服務。打造更美好的世界是我們的願景,為此,我們以半導體技術為基礎,致力於創造更輕巧、更高效、更可靠及更具成本效益的產品解決方案,使半導體更加普及地被應用於各式電子產品中。我們將此視為工程所帶來的巨大進步,也是我們數十年來一直堅持的做法。更多詳情,敬請瀏覽 TI.com

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