TI推出業界首款航太級200V GaN FET閘極驅動器，助力衛星縮小體積、提升效能

（台北訊2025年2月24日）德州儀器（TI）宣布推出全新的抗輻射強化和耐輻射的半橋氮化鎵（GaN）場效應電晶體（FET）閘極驅動器系列。該系列包括業界首款支援高達200V運作的航太級GaN FET驅動器。這些裝置提供針腳相容的陶瓷和塑膠封裝選項，且支援三種電壓等級。TI在航太級功率產品領域的發展，賦能工程師僅需單一晶片供應商，即可為各類航太任務設計衛星功率系統。

為滿足軌道上處理、數據傳輸、高解析度影像，及精確感測等需求，衛星系統日益複雜。為提升任務完成能力，工程師致力於最大化電力系統效能。TI的新閘極驅動器被設計為具快速上升、下降時間，以精準驅動GaN FET，從而改善電源供應尺寸及密度。這使衛星能夠更有效利用其太陽能電池產生的功率來履行任務功能。

「衛星執行的任務至關重要，從提供全球網際網路覆蓋到監控氣候和航運活動，賦能人類更好地理解和導航於世界。」TI航太電源產品線經理Javier Valle表示。「我們的新產品組合賦能在低、中地球軌道或地球同步軌道的衛星在嚴酷的太空環境中長時間運作，同時維持高功率。」

如需詳細資訊，請閱讀技術文章：如何改善具有電子電源系統的下一代衛星 SWaP？

詳細資訊

使用GaN技術最佳化尺寸、重量和功率（SWaP）時，可以：

• 提升電氣系統性能。
• 延長任務壽命。
• 減少質量與體積。
• 最小化散熱管理過載。

該系列產品可供設計師應用範疇，橫跨完整電氣功率系統。

• 200V GaN FET閘極驅動器適用於推進系統和太陽能板的輸入功率轉換。
• 60V和22V版本適用於衛星的配電與轉換。

TI的航太級GaN FET閘極驅動器系列為三種電壓等級提供各式太空規格封裝選項，包括：

• 抗輻射強化；分別符合合格製造商清單（QML）P等級和V等級的塑膠和陶瓷封裝。
• 輻射耐受的太空強化型塑膠（SEP）產品。

TI 系統工程師John Dorosa將於2025年3月18日東部時間上午9:20，在喬治亞州亞特蘭大的應用電力電子會議（APEC）發表「如何輕鬆將硬開關全橋轉換為零電壓開關全橋」。本次產業研討會將介紹TI的TPS7H6003-SP閘極驅動器。

供貨狀況

TPS7H6003-SP、TPS7H6013-SP、TPS7H6023-SP和TPS7H6005-SEP的生產數量已在TI.com供應。TPS7H6015-SEP和TPS7H6025-SEP的預生產數量也已供應，TPS7H6005-SP、TPS7H6015-SP和TPS7H6025-SP則將於2025年6月上市。除此之外，開發資源包括系列中九款裝置的評估模組，以及參考設計和模擬模型。

關於德州儀器

德州儀器（納斯達克股票代碼：TXN）為位居世界領導地位的全球半導體公司，致力於設計、製造、以及銷售類比和嵌入式半導體晶片，為工業、汽車、個人電子、企業系統和通訊設備等市場服務。打造更美好的世界是我們的願景，為此，我們以半導體技術為基礎，致力於創造更輕巧、更高效、更可靠及更具成本效益的產品解決方案，使半導體更加普及地被應用於各式電子產品中。我們將此視為工程所帶來的巨大進步，也是我們數十年來一直堅持的做法。更多詳情，敬請瀏覽TI.com。

商標

所有其他註冊商標均屬於其個別所有人。