氮化鎵 (GaN) 智慧型電源模組 (IPM)

透過我們的整合式氮化鎵 (GaN) 智慧型電源模組 (IPM),將高電壓馬達驅動應用的電源效率最大化

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我們的整合式 GaN IPM 可實現超過 99% 的逆變器效率,可去除對外部散熱器的需求,並且可減少功率損耗,進而提升熱性能。先進的整合與更高的功率密度可縮減解決方案尺寸與系統級成本。超低失效時間與傳播延遲可減少電流諧波,並實現準確度更高的電流感測,進而改善聲音性能。最大化的電源效率、零反向復原、準確的電壓轉換速率控制,以及短路與過電流保護,均可提升系統可靠性並延長馬達驅動的使用壽命。
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氮化鎵 (GaN) IC

運用我們適合各種功率位準的 GaN 功率裝置產品組合,將功率密度與效率最大化。

我們 GaN IPM 的優點

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提升系統效率

我們的智慧電源模組整合了低導通電阻高電壓 GaN 裝置,相較於 IGBT 或 MOSFET 模組,其可讓逆變器效率提升 2%,並減少 50% 以上的功率損耗。

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延長馬達驅動的使用壽命

整合式電壓轉換速率控制和多級保護有助於減少馬達加熱、將電源效率最大化,並在馬達的使用壽命期間強化絕緣。

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實現安靜且準確的馬達操作

以低傳播延遲實現準確的電流感測,並透過低失效時間減少電流諧波。低工作週期支援,可實現更廣泛的馬達速度操作範圍。

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提升功率密度並降低系統成本

透過去除散熱器並整合電流感測放大器與保護功能,將系統尺寸縮減達 60%。

精選技術

GaN IPM 簡介

相較於傳統矽金屬氧化半導體場效電晶體和絕緣閘雙極電晶體,以氮化鎵 (GaN) 打造的智慧電源模組 (IPM) 可實現更高的功率密度與效率。

優點:

  • 功率級的效率 >99%,可免除對散熱器等冷卻元件的需求,進而改善整體效率並縮小馬達驅動器系統尺寸。
  • <150ns 的失效時間與傳播延遲,以及更高的脈衝寬度調變切換頻率,可減少電流失真,進而改善聲音性能。
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