為您的碳化矽 (SiC) FET 選擇適當的隔離式閘極驅動器，需要比您所想像更多的注意力。

高效率 DC 充電站在支援新電動車的快速充電需求方面，扮演著非常重要的角色。SiC FET 與 GaN FET 可大幅支援這些效率目標，但在為 SiC FET 選擇適當隔離式閘極驅動器時，需要具備全新思維方式。

在本課程中，我們討論了以下資訊：

• 驅動 SiC FET 的隔離式閘極驅動器的主要考量： 閘極驅動強度、傳播延遲等等，同時專注於整合式保護功能，例如 OCP/DESAT、米勒箝位、軟關閉或 2 級關閉。 
• 最佳閘極驅動電壓的重要性，可協助防止擊穿事件和/或提升整體轉換器效率。

                                                                                                                                                                                                                     .

我們的講者為德州儀器現場應用工程師 Johannes Konert，目前擔任德州儀器的首席現場應用工程師一職。 他在獲得電力工程證書 (FH Bielefeld 1992) 後，曾擔任 SMPS 設計師超過 13 年。他於 2006 年 4 月加入 TI 擔任電源管理 FAE，目前是 EMEA 銷售與應用組織的技術階梯 (MGTS) 成員。

                                                                                                                                                                                       .

這是否過於複雜？如果您想加入網路研討會，但需要更多背景資訊，建議您觀看我們的短片 「DC EV 充電器的電源拓撲概覽」