3 概要

この 37mΩ、12V N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

図 3-1 標準的な部品寸法

製品概要

T_A = 25℃		標準値		単位
V_DS	ドレイン - ソース間電圧	12		V
Q_g	ゲートの合計電荷 (4.5V)	2.0		nC
Q_gd	ゲート電荷、ゲート - ドレイン間	0.6		nC
R_DS(on)	ドレイン - ソース間オン抵抗	V_GS = 2.5V	53	mΩ
R_DS(on)	ドレイン - ソース間オン抵抗	V_GS = 4.5V	37	mΩ
V_GS(th)	スレッショルド電圧	1.0		V

製品情報

デバイス⁽¹⁾	数量	メディア	パッケージ	出荷形態
CSD13383F4	3000	7 インチ・リール	Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm SMD リード・レス	テープ・アンド・リール
CSD13383F4T	250	7 インチ・リール	Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm SMD リード・レス	テープ・アンド・リール

(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

絶対最大定格

T_A = 25℃		値	単位
V_DS	ドレイン - ソース間電圧	12	V
V_GS	ゲート - ソース間電圧	±10	V
I_D	連続ドレイン電流⁽¹⁾	2.9	A
I_DM	パルス・ドレイン電流⁽¹⁾⁽²⁾	18.5	A
I_G	連続ゲート・クランプ電流	25	mA
I_G	パルス・ゲート・クランプ電流⁽¹⁾⁽²⁾	250	mA
P_D	消費電力	500	mW
ESD 定格	人体モデル (HBM)	2	kV
ESD 定格	デバイス帯電モデル (CDM)	2	kV
T_J、 T_stg	動作時の接合部温度、保存温度	–55～150	℃
E_AS	アバランシェ・エネルギー、単一パルス I_D = 6.7mJ、 L = 0.1mH、R_G = 25Ω	2.2	mJ

(1) R_θJA = 250℃/W (標準値)

(2) パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%

図 3-2 上面図