JAJSMV4G April 2013 – January 2022 CSD17381F4
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
この 90mΩ、30V N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、多くのハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーションのフットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを 60% 以上減らすことができます。
| TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 30 | V | |
| Qg | 総ゲート電荷量 (4.5V) | 1040 | pC | |
| Qgd | ゲート - ドレイン間のゲート電荷量 | 133 | pC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = 1.8V | 160 | mΩ |
| VGS = 2.5V | 110 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V | 90 | mΩ | ||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 0.85 | V | |
| デバイス(1) | 数量 | メディア | パッケージ | 出荷形態 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17381F4 | 3000 | 7 インチ・リール | Femto (0402) 1.0mm×0.6mm SMD リード・レス | テープ・アンド・リール |
| CSD17381F4T | 250 |
| TA = 25℃ (特に記述のない限り) | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 30 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | 12 | V |
| ID | 連続ドレイン電流、TA = 25℃(1) | 3.1 | A |
| IDM | パルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2) | 12 | A |
| IG | 連続ゲート・クランプ電流 | 35 | mA |
| パルス・ゲート・クランプ電流(2) | 350 | ||
| PD | 消費電力(1) | 500 | mW |
| ESD 耐圧 | 人体モデル (HBM) | 4 | kV |
| デバイス帯電モデル (CDM) | 2 | kV | |
| TJ、 Tstg | 動作時の接合部温度、 保存温度 | –55～150 | ℃ |
| EAS | アバランシェ・エネルギー、単一パルス ID = 7.4A、 L = 0.1mH、RG = 25Ω | 2.7 | mJ |