3 概要

この 30V、22mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。

図 3-1 標準的な部品寸法

製品概要

T_A = 25℃		標準値		単位
V_DS	ドレイン - ソース間電圧	30		V
Q_g	ゲートの合計電荷 (4.5V)	1.9		nC
Q_gd	ゲート電荷、ゲート - ドレイン間	0.39		nC
R_DS(on)	ドレイン - ソース間オン抵抗	V_GS = 4.5V	26	mΩ
R_DS(on)	ドレイン - ソース間オン抵抗	V_GS = 10V	22	mΩ
V_GS(th)	スレッショルド電圧	1.3		V

製品情報

デバイス⁽¹⁾	数量	メディア	パッケージ	出荷形態
CSD17585F5	3000	7 インチ・リール	Femto 1.53mm × 0.77mm SMD リードレス	テープ・アンド・リール
CSD17585F5T	250	7 インチ・リール	Femto 1.53mm × 0.77mm SMD リードレス	テープ・アンド・リール

(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

絶対最大定格

T_A = 25℃		値	単位
V_DS	ドレイン - ソース間電圧	30	V
V_GS	ゲート - ソース間電圧	+20	V
I_D	連続ドレイン電流⁽¹⁾	3.6	A
I_D	連続ドレイン電流⁽²⁾	5.9	A
I_DM	パルス・ドレイン電流⁽¹⁾⁽³⁾	34	A
P_D	消費電力⁽¹⁾	0.5	W
P_D	消費電力⁽²⁾	1.4	W
V_(ESD)	人体モデル (HBM)	4	kV
V_(ESD)	デバイス帯電モデル (CDM)	2	kV
T_J、 T_stg	動作時の接合部温度、保存温度	–55～150	℃

(1) 最小 Cu、R_θJA = 245℃/W (標準値)

(2) 最大 Cu、R_θJA = 90℃/W (標準値)

(3) パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%

図 3-2 上面図