JAJSQL1C July   2014  – March 2024 CSD18536KCS

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 5.2 サポート・リソース
    3. 5.3 Trademarks
    4. 5.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 5.5 用語集
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • KCS|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

概要

この 60V、1.3mΩ、TO-220 NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。

GUID-C7E4D8DB-5D30-4D65-AB16-328BE04936D0-low.gif GUID-9AA8AEEF-1B57-498B-9FAC-52FBC5DAB6A9-low.png
製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 60 V
Qg ゲートの合計電荷 (10V) 108 nC
Qgd ゲート-ドレイン間ゲート電荷 14 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = 4.5V 1.7
VGS = 10V 1.3
VGS(th) スレッショルド電圧 1.8 V
注文情報
デバイス (1)パッケージメディア数量Ship (配送)
CSD18536KCSTO-220プラスチック パッケージチューブ50チューブ
利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃単位
VDSドレイン - ソース間電圧60V
VGSゲート - ソース間電圧±20V
ID連続ドレイン電流 (パッケージ制限)200A
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 25℃349
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 100℃247
IDMパルス ドレイン電流 (1)400A
PD電力散逸375W
TJ
Tstg
動作時の接合部温度、
保存温度
-55~175
EASアバランシェ エネルギー、単一パルス
ID = 128A、L = 0.1mH、RG = 25Ω
819mJ
最大 RθJC = 0.4℃/W、パルス期間 ≦ 100μs、デューティ サイクル ≦ 1%
GUID-BAAE55B3-2F63-47B1-8911-133EF3EE5C24-low.gifRDS(on) と VGS との関係
GUID-13DDBF83-F4AE-4958-BCC7-FAE2DD5621E6-low.gifゲート電荷