JAJSCM1A December   2010  – April 2016 INA203-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Device Comparison Table
  6. 6 Pin Configuration and Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics: Current-Shunt Monitor
    6. 7.6 Electrical Characteristics: Comparator
    7. 7.7 Electrical Characteristics: Reference
    8. 7.8 Electrical Characteristics: General
    9. 7.9 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Comparator
      2. 8.3.2 Comparator Delay
      3. 8.3.3 Comparator Maximum Input Voltage Range
      4. 8.3.4 Reference
      5. 8.3.5 Output Voltage Range
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
      1. 9.1.1 Basic Connections
      2. 9.1.2 Selecting RSHUNT
      3. 9.1.3 Input Filtering
      4. 9.1.4 Accuracy Variations as a Result of VSENSE and Common-Mode Voltage
        1. 9.1.4.1 Normal Case 1: VSENSE ≥ 20 mV, VCM ≥ VS
        2. 9.1.4.2 Normal Case 2: VSENSE ≥ 20 mV, VCM < VS
        3. 9.1.4.3 Low VSENSE Case 1:
        4. 9.1.4.4 Low VSENSE Case 2: VSENSE < 20 mV, 0 V ≤ VCM ≤ VS
      5. 9.1.5 Transient Protection
    2. 9.2 Typical Applications
      1. 9.2.1 Polyswitch Warning and Fault Detection Circuit
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.1.3 Application Curves
      2. 9.2.2 Lead-Acid Battery Protection Circuit
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 コミュニティ・リソース
    2. 12.2 商標
    3. 12.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 12.4 用語集
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

12 デバイスおよびドキュメントのサポート

12.1 コミュニティ・リソース

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12.2 商標

E2E is a trademark of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

12.3 静電気放電に関する注意事項

esds-image

これらのデバイスは、限定的なESD（静電破壊）保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。

12.4 用語集

SLYZ022 — TI用語集.

この用語集には、用語や略語の一覧および定義が記載されています。