JAJSFF3B November   2020  – April 2021 INA849

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 可変ゲイン設定
      2. 8.3.2 ゲイン・ドリフト
      3. 8.3.3 広い入力同相範囲
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 リファレンス・ピン
      2. 9.1.2 入力バイアス電流のリターン・パス
      3. 9.1.3 消費電力による熱の影響
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 センサ・コンディショニング回路
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
      2. 9.2.2 マイク・プリアンプ回路のファンタム電源
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.1.3 消費電力による熱の影響

INA849 は、±15V 電源電圧で無信号状態でも、約 200mW の電力を消費します。内部抵抗ネットワークと出力負荷駆動により、入力信号に応じてさらに消費電力が生じます。INA849 はシリコン面積が小さいので、電気的性能に悪影響を及ぼす可能性のある温度勾配が内部回路に生じます。

シリコン内のこれらの熱効果により、オフセット電圧、直線性、同相除去比、全高調波歪などの高精度パラメータが影響を受けることがあります。温度勾配は、高いゲイン (>10) と大きな出力電圧変動を持つ低周波数の入力信号の性能に対して特に影響を及ぼします。アプリケーションで許可される場合は、グラフ 図 9-5 で示されるように、電源電圧を下げることで熱効果を最小限に抑えることができます。

図 9-5 G = 1000 の場合の直線性と電源電圧との関係