JAJSFF3B November   2020  – April 2021 INA849

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 可変ゲイン設定
      2. 8.3.2 ゲイン・ドリフト
      3. 8.3.3 広い入力同相範囲
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 リファレンス・ピン
      2. 9.1.2 入力バイアス電流のリターン・パス
      3. 9.1.3 消費電力による熱の影響
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 センサ・コンディショニング回路
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
      2. 9.2.2 マイク・プリアンプ回路のファンタム電源
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.5 電気的特性

TA = 25℃、VS = ±15V、RL = 10kΩ、グランドに接続、VREF = 0V、VCM = 0V、および G = 1 (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
入力
VOSI 入力段オフセット電圧(1) (3) 10 35 µV
TA = –40℃～+125℃(2) 75
入力段オフセット電圧ドリフト TA = –40℃～+125℃ 0.1 0.4 µV/℃
VOSO 出力段オフセット電圧(1) (3) 50 500 µV
TA = –40℃～+125℃(2) 2000
出力段オフセット電圧ドリフト TA = –40℃～+125℃(2) 15 µV/℃
PSRR 電源電圧変動除去比 G = 1、RTI 106 120 dB
G = 10、RTI 114 120
G = 100、RTI 121 126
G = 1000、RTI 123 128
Zin 入力インピーダンス 1 || 7 GΩ || pF
RFI フィルタ、–3dB 周波数 220 MHz
VCM 動作入力範囲(4) (–VS) + 2.5 (+VS) – 2.5 V
VS = ±4V～±18V 図 8-2 および 図 8-3 を参照してください。
CMRR 同相電圧除去比 DC～60Hz、RTI、
VCM = (V–) + 2.5V～(V+) – 2.5V、
G = 1		 92 110 dB
DC～60Hz、RTI、
VCM = (V–) + 2.5V～(V+) – 2.5V、
G = 10		 112 125
DC～60Hz、RTI、
VCM = (V–) + 2.5V～(V+) – 2.5V、
G = 100		 120 127
DC～60Hz、RTI、
VCM = (V–) + 2.5V～(V+) – 2.5V、
G = 1000		 120 127
バイアス電流
IB 入力バイアス電流 VCM = VS/2 20 nA
入力バイアス電流ドリフト TA = –40℃～+125℃ 10 80 pA/℃
IOS 入力オフセット電流 VCM = VS/2 6 nA
入力オフセット電流ドリフト TA = –40℃～+125℃ 5 pA/℃
ノイズ電圧
eNI 入力段電圧ノイズ(8) F = 1kHz、G = 1000、
RS = 0Ω		 1 nV/√Hz
fB = 0.1Hz～10Hz、G = 1000、
RS = 0Ω		 0.06 µVPP
eNO 出力段電圧ノイズ(8) f = 1kHz、RS = 0Ω 45 nV/√Hz
fB = 0.1Hz～10Hz、
RS = 0Ω		 5 µVPP
iN 電流ノイズ f = 1kHz(9) 1.1 pA/√Hz
fB = 0.1Hz～10Hz 100 pAPP
ゲイン
G ゲイン計算式 1 + (6kΩ/RG) V/V
ゲイン 1 10000 V/V
GE ゲイン誤差 (8) G = 1、VO = ±10V ±0.005 ±0.025 %
G = 10、VO = ±10V ±0.025 ±0.1
G = 100、VO = ±10V ±0.025 ±0.1
G = 1000、VO = ±10V ±0.05
ゲイン誤差ドリフト(5) G = 1、TA = –40℃～+125℃ ±5 ppm/℃
G > 1、TA = –40℃～+125℃ ±35
ゲインの非直線性 G = 1、VO = –10V～+10V 3 ppm
G = 10(7)、VO = –10V～+10V 10
THD 全高調波歪 f = 1kHz、VO = 10VPP 127 dBc
HD2 2 次高調波歪 f = 1kHz、VO = 10VPP 127 dBc
HD3 3 次高調波歪 f = 1kHz、VO = 10VPP 157 dBc
THD 全高調波歪 f = 10kHz、VO = 10VPP 119 dBc
HD2 2 次高調波歪 f = 10kHz、VO = 10VPP 130 dBc
HD3 3 次高調波歪 f = 10kHz、VO = 10VPP 120 dBc
出力
電圧スイング RL = 10kΩ (V–) + 0.15 (V+) – 0.15 V
負荷容量 (安定動作) 200 pF
ZO 閉ループ出力インピーダンス f = 1MHz 1.5 Ω
ISC 短絡電流 VS/2 まで連続 ±34 mA
周波数特性
BW 帯域幅、–3dB G = 1 28 MHz
G = 10 13
G = 100 8
G = 1000 1.25
SR スルーレート G = 1、VSTEP = 10V 35 V/µs
tS セトリング・タイム 0.01%、G = 1～100、
VSTEP = 10V		 0.4 µs
0.01%、G = 1000、
VSTEP = 10V		 0.4
0.001%、G = 1～100、
VSTEP = 10V		 0.6
0.001%、G = 1000、
VSTEP = 10V		 1.5
基準電圧入力
RIN 入力インピーダンス 10 kΩ
入力電流 80 µA
基準入力電圧 (V–) (V+) V
ゲイン～出力 1 V/V
基準ゲイン誤差 VO = ±10V、電圧スイング範囲内 0.01 0.05 %
電源
IQ 静止電流(8) VIN = 0V 6.2 6.6 mA
TA = –40℃～+125℃ 8.9
(1) 合計オフセット、基準入力 (RTI) ：VOS = (VOSI) + (VOSO/G)。
(2) 特性により規定されています。実製品の検査は行っていません。
(3) オフセットの各ドリフトは無相関です。入力換算のオフセットのドリフトは、以下を使用して計算されます。ΔVOS(RTI) = √[ΔVOSI2 + (ΔVOSO /G)2]。 
(4) 入力段の入力電圧範囲。入力範囲は、同相電圧、差動電圧、ゲイン、および基準電圧に応じて変化します。図 7-12 を参照してください。
(5) G > 1 に対して規定される値には、外部ゲイン抵抗 RG の影響は含まれません。
(6) 熱による影響は、入力段の非直線性を低下させる可能性があるので、ゲインでスケーリングすることがあります。図 9-5 を参照してください。
(7) このパラメータは、高速自動テスト環境でテストされており、長時間の時定数による熱の影響は受けません。熱による影響は、電源電圧、レイアウト、ヒートシンク、エアフロー条件によって異なります。
(8) RTI の合計電圧ノイズは、eN(RTI) = √[eNI2 + (eNO /G)2] で表されます。
(9) 不平衡な入力インピーダンスに対して規定される入力電流ノイズ密度。バイアス電流のキャンセルにより、平衡化システムに対するノイズ性能が改善されます。図 7-25 を参照してください。