JAJSSU3 January   2024 LMG3100R017

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
  7. 6 Typical Characteristics
  8. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Propagation Delay and Mismatch Measurement
  9. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Control Inputs
      2. 8.3.2 Start-up and UVLO
      3. 8.3.3 Bootstrap Supply Voltage Clamping
      4. 8.3.4 Level Shift
    4. 8.4 Device Functional Modes
  10.   Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 VCC Bypass Capacitor
        2. 9.2.2.2 Bootstrap Capacitor
        3. 9.2.2.3 Slew Rate Control
        4. 9.2.2.4 Use With Analog Controllers
        5. 9.2.2.5 Power Dissipation
    3.     Power Supply Recommendations
    4. 9.3 Layout
      1. 9.3.1 Layout Guidelines
      2. 9.3.2 Layout Examples
  11. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 Documentation Support
      1. 9.1.1 Related Documentation
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  12. 10Revision History
  13. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 11.1 Package Information
    2. 11.2 Tape and Reel Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • VBE|15
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

LMG3100 は、ドライバを内蔵した 90V、97A の窒化ガリウム (GaN) デバイスです。このデバイスは、高周波 GaN FET ドライバによって駆動される 100V の GaN FET で構成されています。LMG3100 にはハイサイドのレベル シフタとブートストラップ回路が組み込まれているため、追加のレベル シフタを必要とせずに、2 つの LMG3100 デバイスを使用してハーフ ブリッジを形成できます。

GaN FET は逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG3100 デバイスは、6.5mm × 4mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ取り付けできます。

TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。

パッケージ情報
部品番号 パッケージ (1) パッケージ サイズ(2)
LMG3100R017 VBE (VQFN、15) 6.50mm × 4.0mm
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
(2) パッケージ サイズ (長さ × 幅) は公称値であり、該当する場合はピンも含まれます。
GUID-20230227-SS0I-TPVJ-NCRZ-QN6TMLX8SZ9K-low.svg概略ブロック図