JAJSCA8 June   2016 TPS51200-EP

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1  Sink and Source Regulator (VO Pin)
      2. 7.3.2  Reference Input (REFIN Pin)
      3. 7.3.3  Reference Output (REFOUT Pin)
      4. 7.3.4  Soft-Start Sequencing
      5. 7.3.5  Enable Control (EN Pin)
      6. 7.3.6  Powergood Function (PGOOD Pin)
      7. 7.3.7  Current Protection (VO Pin)
      8. 7.3.8  UVLO Protection (VIN Pin)
      9. 7.3.9  Thermal Shutdown
      10. 7.3.10 Tracking Start-up and Shutdown
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Low-Input Voltage Applications
      2. 7.4.2 S3 and Pseudo-S5 Support
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical VTT DIMM Applications
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Input Voltage Capacitor
        2. 8.2.2.2 VLDO Input Capacitor
        3. 8.2.2.3 Output Capacitor
        4. 8.2.2.4 Output Tolerance Consideration for VTT DIMM Applications
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 System Examples
      1. 8.3.1 3.3-VIN, DDR2 Configuration
      2. 8.3.2 2.5-VIN, DDR3 Configuration
      3. 8.3.3 3.3-VIN, LP DDR3 or DDR4 Configuration
      4. 8.3.4 3.3-VIN, DDR3 Tracking Configuration
      5. 8.3.5 3.3-VIN, LDO Configuration
      6. 8.3.6 3.3-VIN, DDR3 Configuration with LFP
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
    3. 10.3 Thermal Design Considerations
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 デベロッパー・ネットワークの製品に関する免責事項
      2. 11.1.2 開発サポート
        1. 11.1.2.1 評価モジュール
        2. 11.1.2.2 SPICEモデル
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 コミュニティ・リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

11 デバイスおよびドキュメントのサポート

11.1 デバイス・サポート

11.1.1 デベロッパー・ネットワークの製品に関する免責事項

デベロッパー・ネットワークの製品またはサービスに関するTIの出版物は、単独またはTIの製品、サービスと一緒に提供される場合に関係なく、デベロッパー・ネットワークの製品またはサービスの適合性に関する是認、デベロッパー・ネットワークの製品またはサービスの是認の表明を意味するものではありません。

11.1.2 開発サポート

11.1.2.1 評価モジュール

TPS51200-EPデバイスを使用する回路の初期パフォーマンス評価に役立てるため、評価モジュール(EVM)を利用可能です。TPS51200-EPEVM評価モジュールと、対応のユーザー・ガイド(SLUU323)は、テキサス・インスツルメンツのWebサイトにある製品フォルダで請求するか、TI eStoreから直接購入できます。

11.1.2.2 SPICEモデル

SPICEを使用した回路パフォーマンスのコンピュータによるシミュレーションは、アナログ回路やシステムのパフォーマンスを分析するため多くの場合に有用です。TPS51200-EPデバイス用のSPICEモデルは、ここで入手できます。

11.2 ドキュメントのサポート

11.2.1 関連資料

  • 『新しい熱測定基準の使用』、SBVA025
  • 『半導体およびICパッケージの熱指標』、SPRA953
  • 『TPS51200-EP EVMシンク/ソースDDR終端レギュレータの使用』、SLUU323
  • TPS51100デバイスの詳細については、ti.comにある製品フォルダを参照してください。

11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法

ドキュメントの更新についての通知を受け取るには、ti.comのデバイス製品フォルダを開いてください。右上の隅にある「通知を受け取る」をクリックして登録すると、変更されたすべての製品情報に関するダイジェストを毎週受け取れます。変更の詳細については、修正されたドキュメントに含まれている改訂履歴をご覧ください。

11.4 コミュニティ・リソース

The following links connect to TI community resources. Linked contents are provided "AS IS" by the respective contributors. They do not constitute TI specifications and do not necessarily reflect TI's views; see TI's Terms of Use.

    TI E2E™ Online Community TI's Engineer-to-Engineer (E2E) Community. Created to foster collaboration among engineers. At e2e.ti.com, you can ask questions, share knowledge, explore ideas and help solve problems with fellow engineers.
    Design Support TI's Design Support Quickly find helpful E2E forums along with design support tools and contact information for technical support.

11.5 商標

E2E is a trademark of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

11.6 静電気放電に関する注意事項

esds-image

これらのデバイスは、限定的なESD（静電破壊）保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。

11.7 Glossary

SLYZ022 — TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.