JAJS136K January   2006  – January 2024 TPS5430 , TPS5431

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報 (DDA パッケージ)
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1  発振周波数
      2. 6.3.2  基準電圧
      3. 6.3.3  イネーブル (ENA) と内部スロースタート時間
      4. 6.3.4  低電圧誤動作防止 (UVLO)
      5. 6.3.5  ブースト･キャパシタ (BOOT)
      6. 6.3.6  出力フィードバック (VSENSE) と内部補償
      7. 6.3.7  電圧フィード･フォワード
      8. 6.3.8  パルス幅変調 (PWM) 制御
      9. 6.3.9  過電流保護
      10. 6.3.10 過電圧保護
      11. 6.3.11 サーマル・シャットダウン
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 最小入力電圧付近での動作
      2. 6.4.2 ENA 制御による動作
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 12V 入力から 5.0V 出力
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 7.2.1.2.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
          2. 7.2.1.2.2 スイッチング周波数
          3. 7.2.1.2.3 入力キャパシタ
          4. 7.2.1.2.4 出力フィルタ部品
            1. 7.2.1.2.4.1 インダクタの選択
            2. 7.2.1.2.4.2 キャパシタの選択
          5. 7.2.1.2.5 出力電圧設定点
          6. 7.2.1.2.6 ブート コンデンサ
          7. 7.2.1.2.7 キャッチ ダイオード
          8. 7.2.1.2.8 詳細情報
            1. 7.2.1.2.8.1 出力電圧の制限
            2. 7.2.1.2.8.2 内部補償回路
            3. 7.2.1.2.8.3 熱に関する計算
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.2.2 TPS5430 を使用した広い入力電圧範囲
        1. 7.2.2.1 設計要件
        2. 7.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.2.3 TPS5431 を使用した広い入力電圧範囲
          1. 7.2.2.3.1 設計要件
          2. 7.2.2.3.2 詳細な設計手順
      3. 7.2.3 セラミック出力フィルタ キャパシタを使用する回路
        1. 7.2.3.1 設計要件
        2. 7.2.3.2 詳細な設計手順
          1. 7.2.3.2.1 出力フィルタ部品の選択
          2. 7.2.3.2.2 外部補償回路
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイスのサポート
      1. 8.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
      2. 8.1.2 開発サポート
        1. 8.1.2.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 Revision History
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DDA|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.5 電気的特性

TJ = -40℃～+125℃、VIN = 5.5V～36V。標準値は TJ = 25℃、VIN = 12V のときです (特に記述のない限り)。
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
電源電圧 (VIN ピン)
IQ(VIN) VIN 静止電流   非スイッチング、VSENSE = 2V、PH ピン オープン 2 4.4 mA
ISD(VIN) VIN のシャットダウン時消費電流 シャットダウン、ENA = 0V 15 50 μA
UVLO
VINUVLO(R) VIN UVLO 立ち上がりスレッショルド VVIN 立ち上がり 5.3 5.5 V
VINUVLO(H) VIN UVLO ヒステリシス 0.35 V
電圧リファレンス
VFB FB 電圧 TJ = 25℃  1.202 1.221 1.239 V
VFB FB 電圧 TJ = –40℃～125℃ 1.196 1.221 1.245 V
発振器
fSW スイッチング周波数 400 500 600 kHz
tON(min) 最小 ON パルス幅 . 150 200 ns
DMAX 最大デューティ サイクル fSW = 500kHz 87% 89%
イネーブル (ENA ピン)
VEN(R) ENA 電圧立ち上がりスレッショルド 1.3 V
VEN(F) ENA 電圧立ち下がりスレッショルド 0.5 V
VEN(H) ENA 電圧ヒステリシス 325 mV
tSS 内部スロースタート時間 (0～100%) 5.4 8 10 ms
過電流保護
IHS(OC) ハイサイド ピーク電流制限 4.0 5.0 6.0 A
再スタート前のヒカップ時間 13 16 20 ms
出力 MOSFET
RDSON(HS) ハイサイド MOSFET オン抵抗 VIN = 12V、VBOOT-SW = 4.5V 100 230 mΩ
RDSON(HS) ハイサイド MOSFET オン抵抗 VIN = 5.5V、VBOOT-SW = 4.0V 125 mΩ
サーマル シャットダウン
TJ(SD) サーマル シャットダウンのスレッショルド (1) 温度上昇 135 162 ℃
TJ(HYS) サーマル シャットダウン ヒステリシス (1) 14 ℃
(1) パラメータは、設計、統計分析、相関パラメータの製造試験によって規定されています。実製品の検査は行っていません。