9 Revision History

Changes from Revision J (July 2022) to Revision K (January 2024)

• データシート全体にわたって WEBENCH® のリンクを更新PowerPAD™ パッケージに言及する場合に「集積回路」を追加。MOSFET 抵抗を 110mΩ から 100m Ω に変更。I _Q を 18μA から 15μA に変更。Go
• 「ピン構成」の図のタイトルを「DDA パッケージ 8 ピン SOIC (サーマル パッド付き) 上面図」に変更し、そのタイトルを正しい位置に移動。「PowerPAD」を「DAP」に変更。Go
• 特定のパラメータ名を含まず、最小および最大列を含む新しい形式に「絶対最大定格」表を更新。ヘッダーに T_J を含める。信号名の代わりにピン名を使う。BOOT 電圧と PH 電圧を出力電圧として表示。脚注を更新 し、注 2 を削除。Go
• BOOT と PH の間の電圧の絶対最大定格を 10V から 6V に変更。Go
• PH と GND の間の電圧の絶対最大定格 (過渡 10ns 未満) を -4V から -1.2V に変更。Go
• CDM ESD を ±1500V から ±750V に変更Go
• 推奨動作条件の「V_I」を「入力電圧」に変更。Go
• JEDEC 規格の情報を含む現行のテキサス・インスツルメンツ規格に合わせて熱に関する情報の脚注を更新。カスタム基板情報を EVM R_θJA 情報に変更Go
• R_θJC(top) を 46.4 から 46 に、R_θJB を 20.8 から 15 に、ψ_JT を 4.9 から 5.2 に、ψ_JB を 20.7 から 15.3 に、R_θJC(bot) を 0.8 から 6 に変更。Go
•  代表的な仕様の EC 表のヘッダーに条件を追加、パラメータ名と、パラメータの説明で使われるピン名を追加。脚注を追加。Go
• V_FB のテスト条件を「I_O = 0A～3A」から「T_J = -40℃～125℃」に変更、r_DS(ON) を R_DSON(HS) に変更、R_DSON(HS) のテスト条件を「VIN = 5.5V」から「V_IN = 5.5V、V_BOOT-SW = 4.0V」に変更。Go
• I_Q の名前を I_SD(VIN) (ENA が Low の場合) および I_Q(VIN) (チップがアクティブの場合) に変更。Go
• D_MAX のテスト条件「f_SW = 500kHz」と 2 番目の R_DSON(HS) 仕様のテスト条件「V_IN = 12V、V_BOOT-SW = 4.5V」を追加。Go
• I_Q(VIN) の標準値を 3mA から 2mA に、I_SD(VIN) の標準値を 18µA から 15µA に、VIN_UVLO(H) を 330mV から 0.35V に、V_EN(H) を 450mV から 325mV に変更。Go
• VIN = 5V (標準値) の R_DS(ON) を 150mΩ から 125mΩに、VIN = 12V の R_DS(ON) を 110mΩ から 100mΩ に変更。Go
• 「概要」の「110mΩ ハイサイド MOSFET」を「100mΩ ハイサイド MOSFET」に、18µA を 15µA に変更。Go
• 「イネーブル (ENA) と内部スロースタート時間」セクションのシャットダウン電流を 18μA から 15μA に変更Go
• UVLO の説明の UVLO ヒステリシスを 330mV から 350mV に変更。Go
• 図 7-1 の TPS5430DDA パッケージ図の「PwPd」を「DAP」に、回路の説明の「露出 PowerPAD™」を「DAP」に変更。Go
• 図 7-9 の TPS5430DDA パッケージ図の「PwPd」を「DAP」に変更。Go
• 図 7-10 の TPS5431DDA パッケージ図の「PwPd」を「DAP」に変更。Go
• 図 7-11 の TPS5430DDA パッケージ図の「PwPd」を「DAP」に変更。Go
• 「レイアウトのガイドライン」の「PowerPAD」を「DAP」に変更 Go