JAJSL21 june   2023 TPSI2072-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
    1. 5.1 Pin Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Power Ratings
    6. 6.6  Insulation Specifications
    7. 6.7  Safety-Related Certifications
    8. 6.8  Safety Limiting Values
    9. 6.9  Electrical Characteristics
    10. 6.10 Switching Characteristics
  8. 7 Parameter Measurement Information
  9. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Avalanche Robustness
    4. 8.4 Device Functional Modes
  10. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Dielectric Withstand Testing (HiPot)
      2. 9.2.2 Design Requirements
      3. 9.2.3 Design Procedure - Chassis Ground Reference
    3. 9.3 Power Supply Recommendations
    4. 9.4 Layout
      1. 9.4.1 Layout Guidelines
      2. 9.4.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 Trademarks
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

TPSI2072-Q1 は、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された 2 チャネル絶縁型ソリッド・ステート・リレーです。TPSI2072-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの高信頼性容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。TPSI2072-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの容量性絶縁技術は、機械式リレーやフォト・リレーの部品での機械的磨耗や光劣化による故障モードの影響を受けないため、システムの信頼性が向上します。

デバイスの 1 次側はわずか 9mA の入力電流で電力供給され、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐフェイルセーフ EN1 および EN2 ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 4.5V～20V のシステム電源に接続する必要があり、デバイスの EN1 および EN2 ピンを 2.1V～20V のロジック HI の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、VDD、EN1、EN2 ピンは、直接システム電源から、または GPIO 出力から一緒に駆動できます。

2 次側の各チャネルは双方向 MOSFET で構成されており、SM から S1 および SM から S2 へのスタンドオフ電圧は、+/-600V となっています。TPSI2072-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部部品を必要とせずに、システム・レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) および最大 2mA の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。

パッケージ情報
部品番号 パッケージ (1) 本体サイズ (公称)
TPSI2072-Q1 SOIC 11 ピン (DWQ) 10.3mm × 7.5mm
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
GUID-20200615-SS0I-QRNJ-N3WX-GRB2RTNMB8J0-low.svgTPSI2072-Q1 アプリケーション概略回路図