4 Revision History
Changes from Revision A (November 2022) to Revision B (June 2023)
- ステータスを「事前情報」から「量産データ」に変更
Go
- 内蔵アバランシェ定格 MOSFET の説明を更新し、「特長」セクションに耐性試験に関する注を追加Go
- エネルギー・ストレージ・システム (ESS) を追加し、「アプリケーション」セクションのリンクを更新Go
- Updated UVLO threshold voltages to align with 5V operation in
Specifications sectionGo
- Increased secondary side HBM ESD performance from 1000V to
1500VGo
- Added reference to Layout Guidelines in the Avalanche Robustness
sectionGo
- Updated Layout Guidelines to include
further EMI considerations and clarified the high voltage and thermal
considerationsGo
- Updated EVM images in Layout Example section
to show the secondary side metallization for optimized thermals.Go
- Added #GUID-A85DA31A-7A4B-42CB-A260-1D0319FB6745/GUID-9AFE882A-EBE9-4FBD-AA08-CEE1473CC248 in Layout Example sectionGo