JAJSEV9J May   2005  – September 2019 TS5A23166

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
    1.     Device Images
      1.      概略回路図
  4. 改訂履歴
  5. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Electrical Characteristics: 5-V Supply
    6. 6.6  Electrical Characteristics: 3.3-V Supply
    7. 6.7  Electrical Characteristics: 2.5-V Supply
    8. 6.8  Electrical Characteristics: 1.8-V Supply
    9. 6.9  Switching Characteristics: 5-V Supply
    10. 6.10 Switching Characteristics: 3.3-V Supply
    11. 6.11 Switching Characteristics: 2.5-V Supply
    12. 6.12 Switching Characteristics: 1.8-V Supply
    13. 6.13 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curve
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 デバイス・サポート
      1. 12.1.1 デバイスの項目表記
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 コミュニティ・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

デバイスの項目表記

Table 2. パラメータの説明

記号 説明
VCOM COM電圧
VNO NO電圧
ron チャネルがオンのときのCOMとNOポート間の抵抗
rpeak 規定電圧範囲内でのピーク・オン抵抗
ron(flat) 規定の条件の範囲における、チャネルのronの最大値と最小値との差
INO(OFF) ワーストケースの入力および出力条件で、対応チャネル(NOからCOM)がオフ状態のとき、NOポートで測定されるリーク電流
INO(PWROFF) パワーダウン状況、V+ = 0のとき、NOポートで測定されるリーク電流
ICOM(OFF) ワーストケースの入力および出力条件で、対応チャネル(COMからNO)がオフ状態のとき、COMポートで測定されるリーク電流
ICOM(PWROFF) パワーダウン状況、V+ = 0のとき、COMポートで測定されるリーク電流
INO(ON) 対応チャネル(NOからCOM)がオン状態、出力(COM)がオープンのとき、NOポートで測定されるリーク電流
ICOM(ON) 対応チャネル(COMからNO)がオン状態、出力(NO)がオープンのとき、COMポートで測定されるリーク電流
VIH 制御入力(IN)の論理HIGHの最小入力電圧
VIL 制御入力(IN)の論理LOWの最大入力電圧
VI 制御入力(IN)の電圧
IIH、IIL 制御入力(IN)で測定されるリーク電流
tON スイッチのターンオン時間。このパラメータは、規定された条件の範囲で、スイッチがオンになるときのデジタル制御(IN)信号とアナログ出力(COM、NO)信号との間の伝搬遅延により測定されます。
tOFF スイッチのターンオフ時間。このパラメータは、規定された条件の範囲で、スイッチがオフになるときのデジタル制御(IN)信号とアナログ出力(COM、NO)信号との間の伝搬遅延により測定されます。
QC 電荷注入は、制御(IN)入力からアナログ(NO、COM)出力への、望ましくない信号のカップリングの測定値です。この値はクーロン(C)単位で、制御入力のスイッチングによって誘導される合計電荷により測定されます。電荷注入QC = CL × ΔVCOMで、CLは負荷容量、ΔVCOMはアナログ出力電圧の変化です。
CNO(OFF) 対応チャネル(NOからCOM)がオフのときのNOポートの容量
CCOM(OFF) 対応チャネル(COMからNO)がオフのときのCOMポートの容量
CNO(ON) 対応チャネル(NOからCOM)がオンのときのNOポートの容量
CCOM(ON) 対応チャネル(COMからNO)がオンのときのCOMポートの容量
CI 制御入力(IN)の容量
OISO スイッチのオフ絶縁は、オフ状態のスイッチのインピーダンス測定値です。これは、オフ状態の対応チャネル(NOからCOM)で、特定の周波数についてdB単位で測定されます。
BW スイッチの帯域幅。オン状態のチャネルのゲインがDCゲインより-3dB低くなる周波数です。
THD 全高調波歪は、アナログ・スイッチにより発生する信号の歪みを示します。この値は、2次、3次、およびさらに高次の高調波の二乗平均(RMS)値と、基本波の絶対振幅との比として定義されます。
I+ 制御(IN)ピンがV+またはGNDであるときの静的消費電流