JAJA675B November   2018  – October 2021 DRV10866 , DRV10963 , DRV10964 , DRV10970 , DRV10974 , DRV10975 , DRV10983 , DRV10983-Q1 , DRV10987 , DRV11873 , DRV3205-Q1 , DRV3220-Q1 , DRV3245E-Q1 , DRV3245Q-Q1 , DRV8301 , DRV8302 , DRV8303 , DRV8304 , DRV8305 , DRV8305-Q1 , DRV8306 , DRV8307 , DRV8308 , DRV8312 , DRV8313 , DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R , DRV8332 , DRV8343-Q1 , DRV8350 , DRV8350R , DRV8353 , DRV8353R , DRV8412 , DRV8701 , DRV8702-Q1 , DRV8702D-Q1 , DRV8703-Q1 , DRV8703D-Q1 , DRV8704 , DRV8711 , DRV8800 , DRV8801 , DRV8801-Q1 , DRV8801A-Q1 , DRV8802 , DRV8802-Q1 , DRV8803 , DRV8804 , DRV8805 , DRV8806 , DRV8811 , DRV8812 , DRV8813 , DRV8814 , DRV8816 , DRV8818 , DRV8821 , DRV8823 , DRV8823-Q1 , DRV8824 , DRV8824-Q1 , DRV8825 , DRV8828 , DRV8829 , DRV8830 , DRV8832 , DRV8832-Q1 , DRV8833 , DRV8833C , DRV8834 , DRV8835 , DRV8836 , DRV8837 , DRV8837C , DRV8838 , DRV8839 , DRV8840 , DRV8841 , DRV8842 , DRV8843 , DRV8844 , DRV8846 , DRV8847 , DRV8848 , DRV8850 , DRV8860 , DRV8870 , DRV8871 , DRV8871-Q1 , DRV8872 , DRV8872-Q1 , DRV8873-Q1 , DRV8880 , DRV8881 , DRV8884 , DRV8885 , DRV8886 , DRV8886AT , DRV8889-Q1

 

  1.   商標
  2. 1グランド配線の最適化
    1. 1.1 よく使用される用語 / 接続
    2. 1.2 グランド・プレーンの使用
      1. 1.2.1 2 層基板技術
    3. 1.3 共通の問題
      1. 1.3.1 容量性および誘導性結合
      2. 1.3.2 同相および差動ノイズ
    4. 1.4 EMC に関する考慮事項
  3. 2熱の概要
    1. 2.1 PCB の熱伝導および対流
    2. 2.2 連続的な最上層のサーマル・パッド
    3. 2.3 銅厚
    4. 2.4 サーマル・ビアの接続
    5. 2.5 サーマル・ビアの幅
    6. 2.6 熱設計のまとめ
  4. 3ビア
    1. 3.1 ビアの電流容量
    2. 3.2 ビアのレイアウトに関する推奨事項
      1. 3.2.1 複数ビアのレイアウト
      2. 3.2.2 ビアの配置
  5. 4一般的な配線手法
  6. 5バルクおよびバイパス・コンデンサの配置
    1. 5.1 バルク・コンデンサの配置
    2. 5.2 チャージ・ポンプ・コンデンサ
    3. 5.3 バイパス / デカップリング・コンデンサの配置
      1. 5.3.1 電源の近く
      2. 5.3.2 電力段の近く
      3. 5.3.3 スイッチ電流源の近く
      4. 5.3.4 電流センス・アンプの近く
      5. 5.3.5 電圧レギュレータの近く
  7. 6MOSFET の配置と電力段の配線
    1. 6.1 一般的なパワー MOSFET パッケージ
      1. 6.1.1 DPAK
      2. 6.1.2 D2PAK
      3. 6.1.3 TO-220
      4. 6.1.4 8 ピン SON
    2. 6.2 MOSFET のレイアウト構成
    3. 6.3 電力段のレイアウト設計
      1. 6.3.1 スイッチ・ノード
      2. 6.3.2 大電流ループ経路
      3. 6.3.3 VDRAIN センス・ピン
  8. 7電流センス・アンプの配線
    1. 7.1 シングル・ハイサイド電流シャント
    2. 7.2 シングル・ローサイド電流シャント
    3. 7.3 2 相および 3 相電流シャント・アンプ
    4. 7.4 部品選定
    5. 7.5 配置
    6. 7.6 配線
    7. 7.7 便利なツール (ネット・タイと差動ペア)
    8. 7.8 入力および出力フィルタ
    9. 7.9 必須事項と禁止事項
  9. 8関連資料
  10. 9改訂履歴

6.3.1 スイッチ・ノード

スイッチ・ノードは、ハイサイド MOSFET のソース・ピンとローサイド MOSFET のドレイン・ピンの間の接続です (図 6-10 を参照)。このノードは最終的に負荷 (このアプリケーションではモーター) に接続されるネットです。このネットの信号の高周波数、大電流という特性のために、スイッチ・ノードはハーフ・ブリッジ構成で配線される最も重要な信号と言えます。図 6-8 に示す回路には、PCB とパワー MOSFET に起因する多くの理想的でない寄生素子が存在します。図 6-9 に、スイッチ・ノード・リンギングと呼ばれる現象の主な原因であるこれらの主要な寄生素子の一部を示します。

GUID-854231E0-15D4-40FC-8BCD-FFCCC4D2CD4C-low.gif図 6-9 ハーフ・ブリッジの寄生素子

スイッチ・ノード・リンギングは、PCB とパワー MOSFET の寄生素子に起因するスイッチ・ノードの LC 発振です。スイッチ・ノード・リンギングは EMI を引き起こし、MOSFET のドレイン - ソース間電圧とゲート・ドライバ・ピンの絶対最大定格を超える可能性があるオーバーシュートおよびアンダーシュート電圧を発生させます。また、電力段の効率を低下させることもあります。

外部的な手段とシステムの調整 (スルーレートの低減、外部スナバなど) によってスイッチ・ノード・リンギングに対処する方法が利用できますが、基本的には健全なレイアウトがこれらの主要な課題の多くに対処できます。図 6-10 のレイアウト例に、ハイサイド MOSFET のソースとローサイド MOSFET のドレインの間のインダクタンスを最小化する設計を示します。良い方法は、銅プレーン接続の長さを最小、幅を最大にし、寄生インダクタンスが最も小さい MOSFET パッケージを採用することです。

GUID-BA51702E-E90E-4290-9C80-7D51EFB960C5-low.gif図 6-10 スイッチ・ノードのレイアウト例