JAJSC08E MAY   2011  – July 2018 TPS51206

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      単純化したアプリケーションの図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 VTT Sink and Source Regulator
      2. 7.3.2 VTTREF
      3. 7.3.3 VDD Undervoltage Lockout Protection
      4. 7.3.4 VTT Current Limit
      5. 7.3.5 Overtemperature Protection
      6. 7.3.6 Power On and Off Sequence
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Power State Control
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 VLDOIN = VDDQ Configuration
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
          1. 8.2.1.2.1 VDD Capacitor
          2. 8.2.1.2.2 VLDOIN Capacitor
          3. 8.2.1.2.3 VTTREF Capacitor
          4. 8.2.1.2.4 VTT Capacitor
          5. 8.2.1.2.5 VTTSNS Connection
          6. 8.2.1.2.6 VDDQSNS Connection
        3. 8.2.1.3 Application Curves
      2. 8.2.2 VLDOIN Separated from VDDQ Configuration
        1. 8.2.2.1 Design Requirements
        2. 8.2.2.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
    3. 10.3 Thermal Considerations
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 デベロッパー・ネットワークの製品に関する免責事項
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

3 概要

TPS51206デバイスは、シンクおよびソースのダブル・データ・レート(DDR)ターミネーション・レギュレータで、VTTREFバッファ付きリファレンス出力を搭載しています。低入力電圧、低コストで、外付け部品数の少ない、スペースの削減が重要なシステムに特化して設計されています。このデバイスは高速な過渡応答を維持し、1×10µFのセラミック出力コンデンサしか必要としません。このデバイスはリモート・センシング機能をサポートし、DDR2、DDR3、Low-Power DDR3 (DDR3L)、DDR4 VTTバスのすべての電力要件を満たしています。VTT電流能力は±2Aピークです。このデバイスはDDRのすべての電力状態をサポートし、S3 (RAMへのサスペンド)状態でVTTをHigh-Zへ移行し、S4またはS5 (ディスクへのサスペンド)状態でVTTおよびVTTREFを放電します。

TPS51206デバイスは、10ピン、2mm×2mmのSON (DSQ) PowerPAD™パッケージで供給され、-40°C～105°Cで動作が規定されています。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ（公称）
TPS51206 WSON (10) 2.00mm×2.00mm
  1. 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。