JAJSEI9B October   2017  – January 2018 UCC28056

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
    1.     スタンバイ消費電力
      1.      Device Images
        1.       アプリケーション概略図
  4. 改訂履歴
  5. 端子構成および機能
    1.     端子機能
  6. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱特性
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  7. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 CrM/DCM制御原理
      2. 7.3.2 入力電圧フィードフォワード
        1. 7.3.2.1 ピーク入力電圧検出
      3. 7.3.3 バレー・スイッチングとCrM/DCMヒステリシス
        1. 7.3.3.1 バレー遅延調整
      4. 7.3.4 過渡応答高速化機能を備えたトランスコンダクタンス・アンプ
      5. 7.3.5 異常と保護
        1. 7.3.5.1 電源低電圧誤動作防止
        2. 7.3.5.2 2つの値の過電流保護
          1. 7.3.5.2.1 サイクル単位の電流制限Ocp1
          2. 7.3.5.2.2 Ocp2による重大過電流/CCM保護
        3. 7.3.5.3 出力過電圧保護
          1. 7.3.5.3.1 1次出力過電圧保護(Ovp1)
          2. 7.3.5.3.2 2次過電圧保護(Ovp2)
        4. 7.3.5.4 過熱保護動作
        5. 7.3.5.5 低入力電圧/ブラウンイン
      6. 7.3.6 大電流ドライバ
    4. 7.4 コントローラの機能モード
      1. 7.4.1 バースト・モード動作
      2. 7.4.2 ソフト・スタート
  8. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 WEBENCH®ツールによるカスタム設計
        2. 8.2.2.2 電力段設計
          1. 8.2.2.2.1 ブースト・インダクタ設計
          2. 8.2.2.2.2 ブースト・スイッチの選定
          3. 8.2.2.2.3 ブースト・ダイオードの選定
          4. 8.2.2.2.4 出力コンデンサの選定
        3. 8.2.2.3 ZCD/CS端子
          1. 8.2.2.3.1 ZCD/CS端子波形に生じる電圧スパイク
        4. 8.2.2.4 VOSNS端子
        5. 8.2.2.5 電圧ループ補償
          1. 8.2.2.5.1 プラント・モデル
          2. 8.2.2.5.2 補償設計
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 電源に関する推奨事項
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
      1. 10.1.1 VOSNS端子
      2. 10.1.2 ZCD/CS端子
      3. 10.1.3 VCC端子
      4. 10.1.4 GND端子
      5. 10.1.5 DRV端子
      6. 10.1.6 COMP端子
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 WEBENCH®ツールによるカスタム設計
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

ブースト・スイッチの選定

電源スイッチはオン期間(TON)中にブースト・インダクタに電流が流れます。オフ期間(TDCH)中には電流は流れません。Equation 28は、ライン・ハーフサイクルのうちの任意の角度θにおける、1スイッチングサイクル期間のRMS電流を示します。

Equation 28. UCC28056 eq-28.gif

Equation 29 は理想的な遷移モード(CrM)動作におけるスイッチON時のデューティ・サイクルを表します。

Equation 29. UCC28056 eq-29.gif

オン時間は入力サイクル全体で一定となりますが、オフ時間は入力サイクルでの位置に応じて変化します。各スイッチング・サイクルにおいて、ブースト・インダクタでのボルト秒バランスをとるにはそれが必要です。

Equation 30. UCC28056 eq-30.gif

Equation 31 でスイッチON時のデューティ・サイクルを計算します。

Equation 31. UCC28056 eq-31.gif

Equation 32 は完全なライン・ハーフサイクルでのRMSスイッチ電流を表します。

Equation 32. UCC28056 eq-32.gif

スイッチの最大RMS電流は、最大負荷および最小入力時に発生します。

Equation 33. UCC28056 eq-33.gif

ブースト・スイッチに関しては、次のMOSFET選定ガイドラインを採用します。

  • 定格電圧は最大出力電圧を上回っていなければなりません。過渡/入力サージ試験では、出力電圧が通常のレギュレーション値を上回ることがあります。この設計例では、MOSFETの定格電圧は650Vで、レギュレートされた出力電圧390Vをサポートしています。
  • MOSFETの許容導通損失値に基づき、最大RMS電流から必要なオン抵抗(rDS(on))値を計算できます。この設計例では、オン抵抗0.37Ω、TJ=125℃でMOSFETの最大導通電力損失(1.7W未満)を許容することから、STMicrolelectronicsのSTF24N60DM2 MOSFETを選定しました。
  • 最高の効率を実現するため、高速ボディ・ダイオードを搭載したMOSFETを採用します。低速ボディ・ダイオードを搭載したMOSFETを採用すると、低入力電圧から不連続インダクタ電流を使用する動作(DCM)により、スイッチング電力損失が増大します。