NESY036B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   1
  2.   概覽
  3.   摘要
  4.   影響 IQ 的因素
  5.   低 IQ 為何產生新挑戰
    1.     瞬態回應
    2.     漣波
    3.     雜訊
    4.     晶粒尺寸與解決方案面積
    5.     洩漏與低於閾值的操作
  6.   如何打破低 IQ 障礙
    1.     解決瞬態回應問題
    2.     解決切換雜訊問題
    3.     解決其他雜訊問題
    4.     解決晶粒尺寸與解決方案面積問題
    5.     解決洩漏與低於閾值的操作問題
  7.   電氣特性
    1.     18
    2.     避免低 IQ 設計中的潛在系統陷阱
    3.     實現低 IQ 但不犧牲靈活性
    4.     減少外部零組件數以降低汽車應用中的 IQ
    5.     智慧使用或在智慧使用支援低 IQ 的啟用功能，或啟用在系統層級支援低 IQ 的功能
  8.   結論
  9.   低 IQ的重要產品類別

避免低 IQ 設計中的潛在系統陷阱

外部電容器的洩漏是一大問題。任何穩壓器的輸入和輸出電容器都會增加 IQ。圖 19 說明評估外部電容器洩漏的好方法，此方法會針對不同電容器絕緣電阻 (Rp) 規格，量測電容器電壓壓降與時間的變化。以獨立於產品規格書資料的方式量測電容器洩漏是好主意。將電容器充電至已知電壓並監控隨時間產生的壓降，是將各種電容器選項量化並進行比較的絕佳方式。絕緣電阻最大的電容器隨時間產生的壓降將會最少。

GUID-20210902-SS0I-CDJX-W6XN-NG3141MSRGWR-low.gif圖 19 不同絕緣電阻電壓壓降與時間的關係。

除了電容器洩漏外，電壓計的輸入阻抗在低 IQ 量測配置中也扮演了重要角色，並可能導致錯誤結果。若放在電源穩壓器的輸入或輸出處，當供應或輸出電壓為 5V 時，一般 10-MΩ 阻抗的電壓計將會產生 500 nA。這樣的外部洩漏比 TPS7A02 LDO 25-nA IQ 的內部本身消耗 IQ 要多出 20 倍。

透過適當量測方式並適當放置伏特與電流計，即可避免量測誤差。 圖 20 說明不同測試配置對效率產生的影響，對 0.1 mA 以下負載來說影響已非常顯著。如需避免超低 IQ 量測配置問題的最佳選擇秘訣，請參閱 Analog Design Journal 文章精確測量超低 IQ 裝置的效率。

GUID-20210902-SS0I-BDM5-17R3-4M1ZWJ8SWRSJ-low.gif圖 20 依配置所得到的不同量測結果效率。