LM2105
- ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
- ブートストラップ・ダイオードを内蔵
- 5-V GVDD の低電圧誤動作防止 (代表値)
- BST での電圧 (絶対最大値)：107V
- SH での負過渡電圧 (絶対最大値)：-19.5V
- ソース / シンク電流 (ピーク時)：0.5A/0.8A
- 伝搬遅延時間 (代表値)：115ns
LM2105 は、同期整流式降圧型またはハーフブリッジの構成においてハイサイドとローサイド両方の N チャネル MOSFET を駆動するよう設計された、コンパクトな高電圧ゲート・ドライバです。 ブートストラップ・ダイオードを内蔵しているため、外付けのディスクリート・ダイオードが不要になり、基板面積を節約し、システム・コストを削減できます。
SH ピンでの DC -1V および -19.5V の過渡負電圧処理により、高ノイズ・アプリケーションにおけるシステムの堅牢性が向上します。 熱特性強化型の小型 8 ピン WSON パッケージにより、ドライバをモータ位相に近い位置に配置できるため、PCB レイアウトが改善されます。 LM2105 は、業界標準のピン配置と互換性のある 8 ピン SOIC パッケージで も供給されます。ローサイドとハイサイドの両方の電源レールに低電圧誤動作防止機能 (UVLO) が搭載されており、電源投入および電源切断時の保護を実現します。
技術資料
| 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LM2105 5V UVLO (低電圧ロックアウト) 機能搭載、ブートストラップ・ダイオード内蔵、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジ・ドライバ データシート (Rev. C 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 10月 11日 |
| アプリケーション・ノート | How to Choose a Gate Driver for DC Motor Drives | PDF | HTML | 2023年 10月 5日 | |||
| EVM ユーザー ガイド (英語) | LM2105EVM User's Guide | PDF | HTML | 2023年 2月 14日 | |||
| 証明書 | LM2105EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2023年 2月 1日 |
設計と開発
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LM2105EVM — LM2105 ブートストラップ・ダイオードを内蔵した 105V ハーフブリッジ・ドライバの評価基板
LM2105 評価基板 (EVM) は、LM2105 の性能を評価するためのプラットフォームです。LM2105 は、105V のブート電圧で使用できるハイサイド / ローサイド・ドライバで、ソース (供給) 0.5A とシンク (吸い込み) 0.8A のピーク電流に対応するほか、2 個の N チャネル MOSFET (金属 - 酸化膜 - 半導体の電界効果トランジスタ) を駆動します。同じボードを使用して、サポート対象のパッケージに封止した、互いにピン互換性のある複数のパーツを評価することができます。
PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | オプションの表示 |
| WSON (DSG) | 8 | オプションの表示 |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。