제품 상세 정보

Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 2.7 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.1 BW at Acl (MHz) 620 Acl, min spec gain (V/V) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 1500 Architecture Fully Differential ADC Driver Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 2.2 Iq per channel (typ) (mA) 10.1 Rail-to-rail In to V-, Out Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.45 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iout (typ) (mA) 100 2nd harmonic (dBc) 140 3rd harmonic (dBc) 140 Frequency of harmonic distortion measurement (MHz) 0.1 GBW (typ) (MHz) 850 Input bias current (max) (pA) 13000000 Features Shutdown CMRR (typ) (dB) 100 Rating Space
Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 2.7 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.1 BW at Acl (MHz) 620 Acl, min spec gain (V/V) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 1500 Architecture Fully Differential ADC Driver Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 2.2 Iq per channel (typ) (mA) 10.1 Rail-to-rail In to V-, Out Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.45 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iout (typ) (mA) 100 2nd harmonic (dBc) 140 3rd harmonic (dBc) 140 Frequency of harmonic distortion measurement (MHz) 0.1 GBW (typ) (MHz) 850 Input bias current (max) (pA) 13000000 Features Shutdown CMRR (typ) (dB) 100 Rating Space
VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • Radiation tolerant
    • TID assured for every wafer lot up to 30 krad (Si)
    • Single event latch-up (SEL) immune to LET = 43 MeV-cm2 /mg
    • Qualified over the military temperature range: .. –55°C to 125°C
  • Gain bandwidth product (GBWP): 850 MHz
  • Slew rate: 1300 V/µs
  • HD2, HD3: –118 dBc, –147 dBc (100 kHz, 2 VPP)
  • Input voltage noise: 2.4 nV/√Hz
  • Low offset drift: ±0.5 µV/°C (typical)
  • Negative rail input (NRI), rail-to-rail output (RRO)
  • Power supply:
    • Supply voltage range: 2.7 V to 5.4 V
    • Quiescent current: 10.1 mA
    • Power-down capability: 2 µA (typical)
  • Radiation tolerant
    • TID assured for every wafer lot up to 30 krad (Si)
    • Single event latch-up (SEL) immune to LET = 43 MeV-cm2 /mg
    • Qualified over the military temperature range: .. –55°C to 125°C
  • Gain bandwidth product (GBWP): 850 MHz
  • Slew rate: 1300 V/µs
  • HD2, HD3: –118 dBc, –147 dBc (100 kHz, 2 VPP)
  • Input voltage noise: 2.4 nV/√Hz
  • Low offset drift: ±0.5 µV/°C (typical)
  • Negative rail input (NRI), rail-to-rail output (RRO)
  • Power supply:
    • Supply voltage range: 2.7 V to 5.4 V
    • Quiescent current: 10.1 mA
    • Power-down capability: 2 µA (typical)

The LMH5485-SEP is a radiation tolerant, low-power, voltage-feedback, fully differential amplifier (FDA). This part is able to achieve a high gain bandwidth product (GBWP) of 850-MHz, allowing it to maintain excellent distortion performance over a wide range of frequencies as shown in the following figure. This wide bandwidth range is also achieved with a relatively low power consumption of 10.1-mA and broadband voltage noise of 2.4nV/√Hz. This combination of power consumption, bandwidth and noise allows the LMH5485-SEP to be well suited for power sensitive data acquisition systems with frequencies >10 MHz that require both the best signal-to-noise ratio (SNR) and spurious-free dynamic range (SFDR).

The LMH5485-SEP features the negative-rail input required when interfacing with a DC-coupled, ground-centered, source signal. This negative-rail input, with a rail-to-rail output, allows for easy interface between single-ended, ground-referenced, bipolar signal sources and a wide variety of successive approximation register (SAR), delta-sigma (ΔΣ), or pipeline ADCs using only a single 2.7 V to 5.4 V power supply. This device also features a low offset voltage drift of ±0.5 µV/°C, allowing it to maintain excellent DC performance over it’s wide temperature range of –55°C to +125°C.

The LMH5485-SEP is a radiation tolerant, low-power, voltage-feedback, fully differential amplifier (FDA). This part is able to achieve a high gain bandwidth product (GBWP) of 850-MHz, allowing it to maintain excellent distortion performance over a wide range of frequencies as shown in the following figure. This wide bandwidth range is also achieved with a relatively low power consumption of 10.1-mA and broadband voltage noise of 2.4nV/√Hz. This combination of power consumption, bandwidth and noise allows the LMH5485-SEP to be well suited for power sensitive data acquisition systems with frequencies >10 MHz that require both the best signal-to-noise ratio (SNR) and spurious-free dynamic range (SFDR).

The LMH5485-SEP features the negative-rail input required when interfacing with a DC-coupled, ground-centered, source signal. This negative-rail input, with a rail-to-rail output, allows for easy interface between single-ended, ground-referenced, bipolar signal sources and a wide variety of successive approximation register (SAR), delta-sigma (ΔΣ), or pipeline ADCs using only a single 2.7 V to 5.4 V power supply. This device also features a low offset voltage drift of ±0.5 µV/°C, allowing it to maintain excellent DC performance over it’s wide temperature range of –55°C to +125°C.

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기술 문서

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설계 및 개발

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평가 보드

DEM-FDA-DGK-EVM — DGK(HVSSOP) 패키지의 완전 차동 증폭기용 비장착 평가 모듈

DEM-FDA-SOIC-EVM은 DGK(HVSSOP) 패키지의 완전 차동 증폭기(FDA)를 위한 채워지지 않은 평가 모듈(EVM)입니다. 이 EVM은 고속 성능 사양과 출력 공통 모드(Vocm) 제어 및 전력 다운(PD) 기능을 갖춘 텍사스 인스트루먼트 FDA에 따라 설계했습니다. 이 EVM은 연구 장비용 50-Ω SMA를 사용하는 고속 FDA에 대해 신속하고 효율적인 랩 테스트를 수행할 수 있도록 설계했습니다. 이 회로도에는 전원 및 신호 연결을 포함하여 실험실 측정을 수행하는 데 필요한 모든 커넥터가 (...)
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평가 보드

DEM-FDA-DGN-EVM — DGN 패키지의 완전 차동 증폭기용 평가 모듈

DEM-FDA-SOIC-EVM은 DGN(HVSSOP) 패키지의 완전 차동 증폭기(FDA)를 위한 채워지지 않은 평가 모듈(EVM)입니다. 이 EVM은 50Ω를 사용하여 고속 FDA, 랩 장비와 함께 사용할 SMA 커넥터를 사용하여 빠르고 효율적인 랩 테스트를 수행할 수 있도록 설계되었습니다. 회로도에는 전원과 신호 연결을 포함한 랩 측정을 수행하기 위해 필요한 모든 커넥터가 고려되었습니다. EVM은 회로도에 따라 채워진 경우 단일 종단 입력과 단일 종단 출력으로 구성되어 있으며, EVM은 적절한 구성으로 완전 차동 (...)

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평가 보드

DEM-FDA-SOIC-EVM — SOIC 패키지의 완전 차동 증폭기를 위한 평가 모듈

DEM-FDA-SOIC-EVM은 D(SOIC) 패키지의 완전 차동 증폭기(FDA)를 위한 채워지지 않은 EVM(평가 모듈)입니다. 이 EVM은 연구 장비용 50-Ω SMA를 사용하는 고속 FDA에 대해 신속하고 효율적인 랩 테스트를 수행할 수 있도록 설계했습니다. 이 회로도에는 전원 및 신호 연결을 포함하여 실험실 측정을 수행하는 데 필요한 모든 커넥터가 고려되어 있습니다. EVM은 회로도에 따라 채워진 경우 단일 종단 입력과 단일 종단 출력으로 구성되어 있으며, EVM은 적절한 구성으로 완전 차동 동작을 (...)

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시뮬레이션 모델

LMH5485-SEP PSpice Model

SBOMC07.ZIP (28 KB) - PSpice Model
시뮬레이션 모델

LMH5485-SEP TINA-TI Model

SBOMC08.TSC (82 KB) - TINA-TI Spice Model
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
시뮬레이션 툴

TINA-TI — SPICE 기반 아날로그 시뮬레이션 프로그램

TINA-TI provides all the conventional DC, transient and frequency domain analysis of SPICE and much more. TINA has extensive post-processing capability that allows you to format results the way you want them. Virtual instruments allow you to select input waveforms and probe circuit nodes voltages (...)
사용 설명서: PDF
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VSSOP (DGK) 8 옵션 보기

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

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