제품 상세 정보

Configuration 1:1 SPST Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3, 5 Power supply voltage - dual (V) +/-10, +/-5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 12 CON (typ) (pF) 14.5 ON-state leakage current (max) (µA) 0.01 Supply current (typ) (µA) 250 Bandwidth (MHz) 464 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input/output continuous current (max) (mA) 20 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 11 Negative rail supply voltage (max) (V) -1.65
Configuration 1:1 SPST Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3, 5 Power supply voltage - dual (V) +/-10, +/-5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 12 CON (typ) (pF) 14.5 ON-state leakage current (max) (µA) 0.01 Supply current (typ) (µA) 250 Bandwidth (MHz) 464 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input/output continuous current (max) (mA) 20 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 11 Negative rail supply voltage (max) (V) -1.65
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • ±1-V to ±6-V Dual-Supply Operation
  • Specified ON-State Resistance:
    • 25 Max With ±5-V Supply
    • 35 Max With ±3.3-V Supply
    • 47 Max With ±1.8-V Supply
  • Specified Low OFF-Leakage Currents:
    • 5 nA at 25°C
    • 10 nA at 85°C
  • Specified Low ON-Leakage Currents:
    • 5 nA at 25°C
    • 10 nA at 85°C
  • Low Charge Injection: 13 pC (±5-V Supply)
  • Fast Switching Speed:
    tON = 85 ns, tOFF = 50 ns (±5-V Supply)
  • Break-Before-Make Operation (tON > tOFF)
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2500-V Human-Body Model (A114-F)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101-C)
    • 250-V Machine Model (A115-A)

  • ±1-V to ±6-V Dual-Supply Operation
  • Specified ON-State Resistance:
    • 25 Max With ±5-V Supply
    • 35 Max With ±3.3-V Supply
    • 47 Max With ±1.8-V Supply
  • Specified Low OFF-Leakage Currents:
    • 5 nA at 25°C
    • 10 nA at 85°C
  • Specified Low ON-Leakage Currents:
    • 5 nA at 25°C
    • 10 nA at 85°C
  • Low Charge Injection: 13 pC (±5-V Supply)
  • Fast Switching Speed:
    tON = 85 ns, tOFF = 50 ns (±5-V Supply)
  • Break-Before-Make Operation (tON > tOFF)
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2500-V Human-Body Model (A114-F)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101-C)
    • 250-V Machine Model (A115-A)

The TS12A4516/TS12A4517 are single pole/single throw (SPST), low-voltage, dual-supply CMOS analog switches, with very low switch ON-state resistance. The TS12A4516 is normally open (NO). The TS12A4517 is normally closed (NC).

These CMOS switches can operate continuously with a dual supplies between ±1 V and ±6 V [(2 V < (V+ – V) < 12 V]. Each switch can handle rail-to-rail analog signals. The OFF-leakage current maximum is only 5 nA at 25°C or 10 nA at 85°C.

For pin-compatible parts for use with single supply, see the TS12A4514/TS12A4515.

The TS12A4516/TS12A4517 are single pole/single throw (SPST), low-voltage, dual-supply CMOS analog switches, with very low switch ON-state resistance. The TS12A4516 is normally open (NO). The TS12A4517 is normally closed (NC).

These CMOS switches can operate continuously with a dual supplies between ±1 V and ±6 V [(2 V < (V+ – V) < 12 V]. Each switch can handle rail-to-rail analog signals. The OFF-leakage current maximum is only 5 nA at 25°C or 10 nA at 85°C.

For pin-compatible parts for use with single supply, see the TS12A4514/TS12A4515.

다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 동영상

기술 문서

star =TI에서 선정한 이 제품의 인기 문서
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하십시오.
모두 보기5
유형 직함 날짜
* Data sheet Dual-Supply Low ON-State Resistance SPST CMOS Analog Switches datasheet (Rev. B) 2009/04/14
Application note Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 2022/06/02
Application note Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) PDF | HTML 2021/12/01
Application note Preventing Excess Power Consumption on Analog Switches 2008/07/03
Application note Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004/07/08

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 어댑터 평가 모듈

소형 표면 실장 IC(집적 회로)와 쉽고 빠르며 경제적인 방식으로 인터페이싱하는 방법을 제공하는 DIP 어댑터 평가 모듈(DIP-ADAPTER-EVM)로 연산 증폭기 프로토타이핑 및 테스트 속도를 높이세요. 제품에 포함된 Samtec 터미널 스트립을 사용하여 지원되는 연산 증폭기를 연결하거나 기존 회로에 직접 연결할 수 있습니다.

DIP 어댑터 EVM 키트는 다음을 포함해 가장 널리 사용되는 6개의 업계 표준 패키지를 지원합니다.

  • D 및 U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8, VSSOP-8)
  • (...)
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매할 수 없습니다
인터페이스 어댑터

LEADED-ADAPTER1 — TI의 5, 8, 10, 16 및 24핀 리드 패키지의 빠른 테스트를 위한 DIP 헤더 어댑터에 대한 표면 실장

The EVM-LEADED1 board allows for quick testing and bread boarding of TI's common leaded packages.  The board has footprints to convert TI's D, DBQ, DCT,DCU, DDF, DGS, DGV, and PW surface mount packages to 100mil DIP headers.     

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매할 수 없습니다
시뮬레이션 모델

TS12A4517 PSpice Model

SCDM170.ZIP (1 KB) - PSpice Model
패키지 다운로드
SOIC (D) 8 옵션 보기
SOT-23 (DBV) 5 옵션 보기

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

동영상