LMG342X-BB-EVM

LMG342x evaluation module

LMG342X-BB-EVM

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概述

The LMG342X-BB-EVM is an easy-to-use breakout board to configure any LMG342xR0x0 half-bridge boards, such as the LMG3422EVM-043, as a synchronous buck converter. By providing a power stage, bias power and logic circuitry, this evaluation module (EVM) allows for quick measurements of the gallium nitride (GaN) device switching. This EVM is capable of delivering up to 12A of output current with adequate thermal management (forced air, low frequency operation, etc) to ensure the maximum operating temperature is not exceeded. This EVM is not suitable for transient measurements since it is an open loop board.

Only a single pulse width modulated input is required, with complementary pulse width modulated signals and corresponding dead time generated on board. Probe points are provided to allow for key logic and power stage waveforms to be measured with oscilloscope probes that have short ground springs.

特性
  • Input voltage operates up to 650V
  • Simple open loop design to evaluate performance of LMG342XR0XX, LMG352XR0XX
  • Single or dual PWM input onboard for PWM signal with variable dead time
  • Convenient probe points for logic and power stage measurements with oscilloscope probes that have short ground spring probes
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET
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  1. 订购适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板和所需的子卡
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LMG342X-BB-EVM — LMG342x evaluation motherboard

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LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡

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LMG3422EVM-041 — LMG3422R050 600V 50mΩ 半桥子卡

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LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver daughter card

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LMG3425EVM-043 — 具有理想二极管模式的 LMG3425R030 600V 30mΩ 半桥子卡

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
用户指南 LMG342XEVM-04X 用户指南 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 4月 14日
证书 LMG342X-BB-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 10月 27日

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