PMP21440

对比:0.8V/8W GaN 与硅质电源参考设计

PMP21440

设计文件

概述

该参考设计为客户提供有关电源设计中 GaN 与 SI 使用情况的对比研究。该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381(对于硅电源)和采用 EPC2111 的 LMG1210(对于 GaN 电源),以提供 0.8V 的电压和 10A 的电流。该设计将硅功率级与 GaN 功率级进行比较,以说明在使用 GaN 进行设计时的设计折衷和必要的优化。

特性
  • PMBus 可编程 OPC、UVLO、OV,开关频率和软启动
  • 通过 LMG1210 上的引脚搭接进行死区时间调节
  • 电源板和子卡实现
  • 优化死区时间显示 GaN 效率提高 5%
输出电压选项 PMP21440.1 PMP21440.2
Vin (Min) (V) 6 6
Vin (Max) (V) 8.4 8.4
Vout (Nom) (V) .8 .8
Iout (Max) (A) 10 10
Output Power (W) 8 8
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC DC
Topology Buck- Synchronous Buck- Synchronous
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDT008.PDF (1272 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRWF3.PDF (104 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRWF4.PDF (133 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRWF5.PDF (106 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRWF6.PDF (107 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRWF8.PDF (76 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRWF9.PDF (109 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRWG1.ZIP (1773 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCEP8.ZIP (5705 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRWG0.ZIP (699 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

MOSFET

CSD87381P采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

TPS40400具有 PMBus™ 且包含遥测功能的 3V 至 20V、30A 同步降压控制器

数据表: PDF
半桥驱动器

LMG1210适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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* 测试报告 PMP21440 Test Results 2018年 5月 23日

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