In dieser Präsentation wurden die einzigartigen inhärenten Materialeigenschaften von Siliciumcarbid (SiC) und deren Einfluss auf Stromversorgungssysteme thematisiert. Außerdem wurde erläutert, warum SiC-MOSFET einen niedrigeren Rdson-Wert als Si-MOSFET hat und welche Vorteile SiC-MOSFET im Vergleich zu Si-IGBT bietet.  Es wurde ein Anwendungsbeispiel auf Basis eines SiC-MOSFETs mit 6,6 kW Totem-Pol-PFC für ein EV-Bordladegerät (TIDA-01604) mit UCC21520-Q1-Treibern vorgestellt. Anschließend wurden die Gate-Treiber-Anforderungen an SiC-MOSFETs ausführlich besprochen und ein Designbeispiel (TIDA-01605) mit UCC21521 gegeben.