JAJSRO0B October 2009 – October 2023 CSD16408Q5
PRODUCTION DATA
- 1
- 1特長
- 2アプリケーション
- 3概要
- 4Revision History
- 5Electrical Characteristics
- 6Thermal Characteristics
- 7Typical MOSFET Characteristics
- 8Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
- DQH|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
3 概要
NexFET™ パワー MOSFET は、電源変換アプリケーションの損失を最小限に抑えるように設計されています。
上面図製品概要
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 25 | V | ||
| Qg | 総ゲート電荷量 (4.5V) | 6.7 | nC | ||
| Qgd | ゲート - ドレイン間のゲート電荷量 | 1.9 | nC | ||
| rDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = 4.5V | 5.4 | mΩ | |
| VGS = 10V | 3.6 | mΩ | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 1.8 | V | ||
製品情報
| 製品名 | パッケージ | メディア | 数量 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD16408Q5 | SON 5mm × 6mm プラスチック・パッケージ | 13 インチ (33cm) リール | 2500 | テープ・アンド・リール |
絶対最大定格
| TA = 25℃ (特に記述のない限り) | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 25 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | -12～16 | V |
| ID | 連続ドレイン電流、TC = 25℃ | 113 | A |
| 連続ドレイン電流(1) | 22 | A | |
| IDM | パルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2) | 141 | A |
| PD | 消費電力(1) | 3.1 | W |
| TJ、TSTG | 動作時の接合部および保存温度範囲 | -55～150 | ℃ |
| EAS | アバランシェ・エネルギー、単一パルス ID = 23A、L = 0.1mH、RG = 25Ω | 126 | mJ |
(1) RθJA = 41℃/W (標準値、厚さ 0.06 インチ (1.52mm) の FR4 PCB 上の面積 1 平方インチ (6.45cm2)、厚さ 2oz (0.071mm) の Cu パッドに実装した場合)。
(2) パルス幅 ≤ 300μs、デューティ・サイクル ≤ 2%
RDS(on) と VGS との関係
ゲート電荷