JAJSIA3C February   2010  – December 2019 CSD17308Q3

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     上面図
      1.      Device Images
        1.       RDS(on)とVGSとの関係
        2.       ゲート電荷
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 サポート・リソース
    2. 6.2 商標
    3. 6.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 6.4 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q3パッケージの寸法
    2. 7.2 推奨のPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル開口部
    4. 7.4 Q3のテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DQG|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.2 商標

NexFET, E2E are registered trademarks of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.