JAJSSE3C January   2016  – November 2023 CSD17552Q3A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4仕様
    1. 4.1 電気的特性
    2. 4.2 熱に関する情報
    3. 4.3 代表的な MOSFET の特性
  6. 5デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 5.1 サポート・リソース
    2. 5.2 商標
    3. 5.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 5.4 用語集
  7. 6改訂履歴
  8. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 30V、5.5mΩ、3.3mm × 3.3mm の SON NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。

GUID-039A0733-6C49-42AF-B094-527CA3F86992-low.gif 上面図

製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 30 V
Qg ゲートの合計電荷 (4.5V) 9.0 nC
Qgd ゲート-ドレイン間ゲート電荷 2.3 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = 4.5V 6.5 mΩ
VGS = 10V 5.5 mΩ
VGS(th) スレッショルド電圧 1.5 V
注文情報(1)
デバイス 数量 メディア パッケージ 出荷形態
CSD17552Q3A 2500 13 インチ・リール SON
3.3mm × 3.3mm プラスチック パッケージ		 テープおよびリール
CSD17552Q3AT 250 7 インチ・リール
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃ (特に記述のない限り) 値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 30 V
VGS ゲート - ソース間電圧 ±20 V
ID 連続ドレイン電流、TC = 25℃ 60 A
連続ドレイン電流、シリコン制限 74 A
連続ドレイン電流、TA = 25℃(1) 15 A
IDM パルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2) 84 A
PD 消費電力(1) 2.6 W
TJ、
Tstg		 動作時の接合部温度、
保存温度		 -55～150 ℃
EAS アバランシェ・エネルギー、単一パルス ID = 30 A、
L = 0.1mH、RG = 25Ω		 45 mJ
(1) 厚さ 0.06 インチ (1.52mm) の FR4 PCB 上に形成された面積 1 平方インチ (6.45cm2)、
2 オンス (0.071mm 厚) の Cu パッド上で、標準値 RθJA = 48℃/W です。
(2) パルス幅 ≤ 300μs、デューティ・サイクル ≤ 2%

GUID-39188B81-56A3-4234-B56E-2DF6C177B92C-low.png RDS(on) と VGS との関係
GUID-EABD8403-5D90-429A-B878-A9564E17DD0E-low.png ゲート電荷