JAJSSE3C January   2016  – November 2023 CSD17552Q3A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4仕様
    1. 4.1 電気的特性
    2. 4.2 熱に関する情報
    3. 4.3 代表的な MOSFET の特性
  6. 5デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 5.1 サポート・リソース
    2. 5.2 商標
    3. 5.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 5.4 用語集
  7. 6改訂履歴
  8. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

4.1 電気的特性

(特に記述のない限り TA = 25℃)
パラメータテスト条件最小値標準値最大値単位
スタティック特性
BVDSSドレイン - ソース間電圧VGS = 0V、ID = 250μA30V
IDSSドレイン - ソース間リーク電流VGS = 0V、VDS = 24V1μA
IGSSゲート - ソース間リーク電流VDS = 0V、VGS = 20V100nA
VGS(th)ゲート - ソース間スレッショルド電圧VDS = VGS、ID = 250μA1.11.51.9V
RDS(on)ドレイン - ソース間オン抵抗VGS = 4.5V、ID = 11A6.58.1mΩ
VGS = 10V、ID = 11A5.56.0mΩ
gfs相互コンダクタンスVDS = 15V、ID = 11A106S
ダイナミック特性
Ciss入力容量VGS = 0V、VDS = 15V、ƒ = 1MHz15802050pF
Coss出力容量385500pF
Crss帰還容量2836pF
RG直列ゲート抵抗.91.8Ω
Qg総ゲート電荷量 (4.5V)VDS = 15V、ID = 11A912nC
Qgdゲート電荷、ゲート-ドレイン間2.3nC
Qgsゲート電荷、ゲート - ソース間3.6nC
Qg(th)Vth でのゲート電荷量1.8nC
Qoss出力電荷量VDS = 15V、VGS = 0V11nC
td(on)ターンオン遅延時間VDS = 15V、VGS = 4.5V、
IDS = 11A、RG = 2Ω		7.2ns
tr立ち上がり時間7.4ns
td(off)ターンオフ遅延時間11.0ns
tf立ち下がり時間3.4ns
ダイオード特性
VSDダイオード順方向電圧ISD = 11A、VGS = 0V0.81V
Qrr逆方向回復電荷VDS= 13.5V、IF = 11A、
di/dt = 300A/μs		17nC
trr逆方向回復時間15ns