JAJSCU1 December   2016 CSD18511Q5A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 用語集
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q5Aパッケージの寸法
    2. 7.2 推奨のPCBパターン
    3. 7.3 推奨のステンシル開口部
    4. 7.4 Q5Aのテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • DQJ|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • 低いRDS(ON)
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • ロジック・レベル
  • 鉛不使用の端子メッキ処理
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 5mm×6mmプラスチック・パッケージ

アプリケーション

  • DC/DC変換
  • 2次側同期整流器
  • バッテリ・モータ制御

概要

この40V、1.9mΩ、SON 5×6mm NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションで損失を最小化するよう設計されています。

上面図
CSD18511Q5A P0093-01_LPS198.gif

製品概要

TA = 25°C 標準値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 40 V
Qg 総ゲート電荷量(10V) 63 nC
Qgd ゲート-ドレイン間ゲート電荷量 11.2 nC
RDS(on) ドレイン-ソース間オン抵抗 VGS = 4.5V 2.7
VGS = 10V 1.9
VGS(th) スレッショルド電圧 1.8 V

製品情報(1)

デバイス 数量 メディア パッケージ 配送
CSD18511Q5A 2500 13インチ・リール SON 5mm×6mmプラスチック・パッケージ テープ・アンド・リール
CSD18511Q5AT 250 7インチ・リール
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

絶対最大定格

TA = 25°C 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 40 V
VGS ゲート-ソース間電圧 ±20 V
ID 連続ドレイン電流(パッケージ制限) 100 A
連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25℃ 159
連続ドレイン電流 (1) 27 A
IDM パルス・ドレイン電流 (2) 400 A
PD 消費電力(1) 3.1 W
消費電力、TC = 25°C 104
TJ
Tstg
動作時の接合部および
保存温度範囲
–55~150 °C
EAS アバランシェ・エネルギー、単一パルス
ID = 56A、L = 0.1mH、RG = 25Ω
157 mJ
  1. 0.06インチ厚のFR4 PCB上の1インチ2、2オンスのCuパッドで、RθJA = 40℃/W (標準値)
  2. 最大RθJC = 1.2℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%

RDS(on)とVGSとの関係

CSD18511Q5A D007_SLPS631.gif

ゲート電荷

CSD18511Q5A D004_SLPS631_FP.gif