JAJSET5D November   2012  – February 2018 CSD18532Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     上面図
      1.      Device Images
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q5Bパッケージの寸法
    2. 7.2 推奨されるPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル・パターン
    4. 7.4 Q5Bのテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DNK|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この2.5mΩ、60V、SON 5mm×6mm NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。

上面図

CSD18532Q5B P0093-01_LPS198.gif

製品概要

TA = 25°C 標準値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 60 V
Qg ゲートの合計電荷(10V) 44 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 6.9 nC
RDS(on) ドレイン-ソース間オン抵抗 VGS = 4.5V 3.3 mΩ
VGS = 10V 2.5
VGS(th) スレッショルド電圧 1.8 V

製品情報(1)

デバイス 数量 メディア パッケージ 出荷
CSD18532Q5B 2500 13インチ・リール SON
5.00mm×6.00mm
プラスチック・パッケージ		 テープ・アンド・リール
CSD18532Q5BT 250 13インチ・リール
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

絶対最大定格

TA = 25°C 値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 60 V
VGS ゲート-ソース間電圧 ±20 V
ID 連続ドレイン電流(パッケージ制限) 100 A
連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25°C 172
連続ドレイン電流(1) 23
IDM パルス・ドレイン電流(2) 400 A
PD 消費電力(1) 3.2 W
消費電力、TC = 25°C 156
TJ、Tstg 動作時の接合部温度、
保管温度		 –55～150 °C
EAS アバランシェ・エネルギー、単一パルス
ID = 80A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 320 mJ
  1. 厚さ0.06inのFR4 PCB上に構築された面積1in2、2オンスのCuパッド上で、標準値RθJA = 40℃/W
  2. 最大RθJC = 0.8℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%