JAJSUN6D September   2013  – May 2024 CSD19531KCS

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 5.2 Documentation Support
      1. 5.2.1 Related Documentation
    3. 5.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 5.4 サポート・リソース
    5. 5.5 Trademarks
    6. 5.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 5.7 用語集
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • KCS|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 100V、6.4mΩ、TO-220 NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。

CSD19531KCS CSD19531KCS
製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 100 V
Qg ゲートの合計電荷 (10V) 37 nC
Qgd ゲート-ドレイン間ゲート電荷 7.5 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = 6V 7.3 mΩ
VGS = 10V 6.4
VGS(th) スレッショルド電圧 2.7 V
製品情報(1)
デバイス パッケージ メディア 数量 出荷形態
CSD19531KCS TO-220プラスチック パッケージ チューブ 50 チューブ
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃ 値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 100 V
VGS ゲート - ソース間電圧 ±20 V
ID 連続ドレイン電流 (パッケージ制限) 100 A
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 25°C 110
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 100°C 78
IDM パルス ドレイン電流(1) 285 A
PD 電力散逸 214 W
TJ、
Tstg		 動作時の接合部温度、
保存温度		 -55～175 ℃
EAS アバランシェ エネルギー、単一パルス
ID = 60A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 180 mJ
(1) 最大 RθJC = 0.7℃/W、パルス幅 ≦ 100μs、デューティ サイクル ≦ 1%
CSD19531KCS RDS(on) と VGS との関係RDS(on) と VGS との関係
CSD19531KCS ゲート電荷ゲート電荷