JAJSMW1E May 2014 – January 2022 CSD23382F4
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
この 66mΩ、12V P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、多くのハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーションでフットプリントを最小化するように設計および最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
| TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | –12 | V | |
| Qg | 総ゲート電荷量 (–4.5V) | 1.04 | nC | |
| Qgd | ゲート - ドレイン間のゲート電荷量 | 0.15 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = –1.8V | 149 | mΩ |
| VGS = –2.5V | 90 | |||
| VGS = –4.5V | 66 | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | –0.8 | V | |
| デバイス | 数量 | メディア | パッケージ | 出荷形態 |
|---|---|---|---|---|
| CSD23382F4 | 3000 | 7 インチ・リール | Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm LGA (Land Grid Array) | テープ・アンド・リール |
| CSD23382F4T | 250 | 7 インチ・リール |
| TA = 25℃ | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | –12 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | ±8 | V |
| ID | 連続ドレイン電流(1) | –3.5 | A |
| IDM | パルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2) | –22 | A |
| IG | 連続ゲート・クランプ電流 | –35 | mA |
| パルス・ゲート・クランプ電流(2) | –350 | ||
| PD | 消費電力(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人体モデル (HBM) | 2 | kV |
| デバイス帯電モデル (CDM) | 2 | kV | |
| TJ、 Tstg | 動作時の接合部温度、 保存温度 | –55～150 | ℃ |