JAJSNE0C January   2014  – February 2025 CSD25310Q2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 5.2 Documentation Support
      1. 5.2.1 Related Documentation
    3. 5.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 5.4 サポート・リソース
    5. 5.5 Trademarks
    6. 5.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 5.7 用語集
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 19.9mΩ、–20V P チャネル デバイスは、可能な限り小さな外形で、最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた熱特性を持つよう設計されています。本デバイスの小さいオン抵抗と SON 2mm × 2mm プラスチック パッケージの非常に小さいフットプリントは、限られたスペースでのバッテリ動作に理想的です。

CSD25310Q2 RDS(on) と VGS との関係RDS(on) と VGS との関係
CSD25310Q2 ゲート電荷ゲート電荷
製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 -20 V
Qg ゲートの合計電荷 (-4.5V) 3.6 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 0.5 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = -1.8V 59.0 mΩ
VGS = -2.5V 27.0 mΩ
VGS = -4.5V 19.9 mΩ
VGS(th) スレッショルド電圧 -0.85 V

注文情報
デバイスメディア数量パッケージShip (配送)
CSD25310Q27インチ リール3000SON 2mm × 2mm
プラスチック パッケージ		テープ アンド リール
CSD25310Q2T7インチ リール250
絶対最大定格
TA = 25℃値単位
VDSドレイン - ソース間電圧-20V
VGSゲート - ソース間電圧±8V
ID連続ドレイン電流 (パッケージ制限)-20A
連続ドレイン電流 (1)-9.6A
IDMパルス ドレイン電流 (2)48A
PD電力散逸
  1. RθJA = 43℃/W (厚さ 0.060 インチの FR4 PCB 上の 1 平方インチの Cu (厚さ 2oz) に実装した場合)
2.9W
TJ、Tstg動作時の接合部温度、保存温度-55～150℃
CSD25310Q2 上面図上面図