JAJSSG2A February 2014 – December 2023 CSD88539ND
PRODUCTION DATA
- 1
- 1特長
- 2アプリケーション
- 3概要
- 4Specifications
- 5Device and Documentation Support
- 6Revision History
- 7Mechanical Data
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
- D|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
3 概要
このデュアル SO-8、60V、23mΩ NexFET™ パワー MOSFET は、低電流モータ制御アプリケーションで、ハーフ リッジとして機能するように設計されています。
図 3-1 上面図製品概要
| TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 60 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷 (10V) | 7.2 | nC | |
| Qgd | ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 | 1.1 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = 6V | 27 | mΩ |
| VGS = 10V | 23 | mΩ | ||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 3.0 | V | |
注文情報(1)
| デバイス | 数量 | メディア | パッケージ | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD88539ND | 2500 | 13 インチ・リール | SO-8 プラスチック パッケージ | テープおよびリール |
| CSD88539NDT | 250 | 7 インチ・リール |
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25℃ | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 60 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID | 連続ドレイン電流 (パッケージ制限) | 15 | A |
| 連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 25℃ | 11.7 | ||
| 連続ドレイン電流(1) | 6.3 | ||
| IDM | パルス・ドレイン電流 (2) | 46 | A |
| PD | 消費電力(1) | 2.1 | W |
| TJ、TSTG | 動作時の接合部温度、保存温度 | -55～150 | ℃ |
| EAS | アバランシェ・エネルギー、単一パルス ID = 22 A、 L = 0.1mH、RG = 25Ω |
24 | mJ |
(1) 厚さ 0.06 インチの FR4 PCB 上に構築された 1 インチ2、2 オンスの Cu パッド上で、標準値 RθJA = 60℃/W
(2) パルス幅 ≤ 300μs、デューティ・サイクル ≤ 2%
RDS(on) と VGS との関係
ゲート電荷