JAJSIH0B July   2020  – June 2021 DRV8106-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 説明
  4. 4 改訂履歴
    1.     デバイス比較表
  5. 5 ピン構成
    1.     DRV8106-Q1_RHB パッケージ (VQFN) ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング要件
    7. 6.7 タイミング図
    8. 6.8 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 外付け部品
      2. 7.3.2 デバイス・インターフェイス・バリアント
        1. 7.3.2.1 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
        2. 7.3.2.2 ハードウェア (H/W)
      3. 7.3.3 入力 PWM モード
        1. 7.3.3.1 ハーフブリッジ制御
      4. 7.3.4 スマート・ゲート・ドライバ
        1. 7.3.4.1 機能ブロック図
        2. 7.3.4.2 スルーレート制御 (IDRIVE)
        3. 7.3.4.3 ゲート・ドライブ・ステート・マシン (TDRIVE)
      5. 7.3.5 電圧増倍 (単段) チャージ・ポンプ
      6. 7.3.6 広同相差動電流シャント・アンプ
      7. 7.3.7 ピン配置
        1. 7.3.7.1 ロジック・レベル入力ピン (DRVOFF、IN1/EN、nHIZx、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI)
        2. 7.3.7.2 ロジック・レベル・プッシュプル出力 (SDO)
        3. 7.3.7.3 ロジック・レベル・オープン・ドレイン出力 (nFAULT)
        4. 7.3.7.4 クワッドレベル入力 (GAIN)
        5. 7.3.7.5 6 レベル入力 (IDRIVE、VDS)
      8. 7.3.8 保護および診断機能
        1. 7.3.8.1  ゲート・ドライバのディセーブルとイネーブル (DRVOFF と EN_DRV)
        2. 7.3.8.2  フォルト・リセット (CLR_FLT)
        3. 7.3.8.3  DVDD ロジック電源パワーオン・リセット (DVDD_POR)
        4. 7.3.8.4  PVDD 電源低電圧監視 (PVDD_UV)
        5. 7.3.8.5  PVDD 電源過電圧監視 (PVDD_OV)
        6. 7.3.8.6  VCP チャージ・ポンプ低電圧誤動作防止 (VCP_UV)
        7. 7.3.8.7  MOSFET VDS 過電流保護 (VDS_OCP)
        8. 7.3.8.8  ゲート・ドライバ・フォルト (VGS_GDF)
        9. 7.3.8.9  過熱警告 (OTW)
        10. 7.3.8.10 サーマル・シャットダウン (OTSD)
        11. 7.3.8.11 オフライン短絡とオープン負荷検出 (OOL / OSC)
        12. 7.3.8.12 障害検出と応答の概略表
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 非アクティブまたはスリープ状態
      2. 7.4.2 スタンバイ状態
      3. 7.4.3 動作状態
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 SPI インターフェイス
      2. 7.5.2 SPI フォーマット
      3. 7.5.3 複数スレーブに対する SPI インターフェイス
        1. 7.5.3.1 デイジー・チェーン内の複数のスレーブ用 SPI インターフェイス
    6. 7.6 レジスタ・マップ
      1. 7.6.1 ステータス・レジスタ
      2. 7.6.2 制御レジスタ
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 ゲート・ドライバ構成
          1. 8.2.2.1.1 VCP 負荷計算の例
          2. 8.2.2.1.2 IDRIVE 計算例
        2. 8.2.2.2 電流シャント・アンプの構成
        3. 8.2.2.3 消費電力
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 バルク容量
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
      2. 11.1.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 11.2 サポート・リソース
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 11.5 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RHB|32
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

10.1 レイアウトのガイドライン

推奨値 0.1µF の低 ESR セラミック・バイパス・コンデンサを使用して、PVDD ピンを GND ピンにバイパスします。このコンデンサは、幅の広いパターン、または GND ピンに接続されたグランド・プレーンを使用して、PVDD ピンのできるだけ近くに配置してください。また、PVDD ピンは、VM の定格を持つバルク・コンデンサを使用してバイパスします。これには電解コンデンサを使用できます。容量は 10µF 以上としてください。この容量が外部パワー MOSFET のバルク容量と共有されている場合、これは許容されます。

外部 MOSFET 上の高電流パスをバイパスするために、追加のバルク容量が必要です。このバルク容量は、外部 MOSFET を通過する高電流パスの長さが最小となるよう配置する必要があります。接続用の金属パターンはできる限り幅広くし、PCB の層間を多数のビアで接続します。これらの手法により、インダクタンスが最小限に抑えられ、バルク・コンデンサが大電流を供給できるようになります。

CPL ピンと CPH ピンの間に低 ESR のセラミック・コンデンサを配置します。これには、X5R または X7R タイプで、PVDD の定格を持つ、0.1µF のコンデンサを使用する必要があります。また、VCP ピンと PVDD ピンの間にも低 ESR のセラミック・コンデンサを配置します。これには、X5R または X7R タイプで、16V の定格を持つ、1µF のコンデンサを使用する必要があります。

X5R または X7R タイプで 6.3V の定格を持つ 1.0µF の低 ESR セラミック・コンデンサを使用して、DVDD ピンを GND ピンにバイパスします。このコンデンサはピンにできる限り近づけて配置し、コンデンサから GND ピンまでのパスを最短にします。別のバイパス・コンデンサがデバイスと外部低電圧電源の近接した位置にあり、電源のノイズが最小限である場合は、この部品を取り外すこともできます。

X5R または X7R タイプで 6.3V の定格を持つ 0.1µF の低 ESR セラミック・コンデンサを使用して、AREF ピンを GND ピンにバイパスします。このコンデンサはピンにできる限り近づけて配置し、コンデンサから GND ピンまでのパスを最短にします。別のバイパス・コンデンサがデバイスと外部低電圧電源の近接した位置にあり、電源のノイズが最小限である場合は、この部品を取り外すこともできます。

DRAIN ピンは、直接 PVDD ピンに短絡することができます。ただし、デバイスと外部 MOSFET の間が大きく離れている場合は、専用のパターンを使用して、ハイサイド外部 MOSFET のドレインの共通ポイントに接続します。SLx ピンは直接 GND プレーンに接続しないでください。その代わりに、専用のパターンを使用して、これらのピンをローサイド外部 MOSFET のソースに接続します。これらの推奨事項により、過電流検出のための外部 MOSFET の VDS センシングをより正確に行うことができます。

ハイサイドおよびローサイド・ゲート・ドライバのループ長はできるだけ短くします。ハイサイド・ループはデバイスの GHx ピンからハイサイド・パワー MOSFET のゲートまでであり、その後ハイサイド MOSFET のソースを通って SLx ピンへと戻ります。ローサイド・ループはデバイスの GLx ピンからローサイド・パワー MOSFET のゲートまでであり、その後ローサイド MOSFET のソースを通って SLx ピンへと戻ります。