JAJSOC2 July   2021 DRV8770

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings Comm
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Gate Drivers
        1. 7.3.1.1 Gate Drive Timings
          1. 7.3.1.1.1 Propagation Delay
          2. 7.3.1.1.2 Deadtime and Cross-Conduction Prevention
        2. 7.3.1.2 Mode (Inverting and non-inverting INLx)
      2. 7.3.2 Pin Diagrams
      3. 7.3.3 Gate Driver Protective Circuits
        1. 7.3.3.1 VBSTx Undervoltage Lockout (BSTUV)
        2. 7.3.3.2 GVDD Undervoltage Lockout (GVDDUV)
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
    1. 9.1 Bulk Capacitance Sizing
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Example
    2. 10.2 Layout Guidelines
  11. 11Device and Documentation Support
    1. 11.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 11.2 サポート・リソース
    3. 11.3 Trademarks
    4. 11.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 11.5 Glossary
  12. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RGE|24
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

DRV8770 デバイスは 2 個のハーフブリッジ・ゲート・ドライバを搭載しており、それぞれがハイサイドとローサイドの各 N チャネル・パワー MOSFET を駆動する能力があります。GVDD がローサイド MOSFET のゲートを駆動する一方、内蔵ブートストラップ・ダイオードと外付けコンデンサはハイサイド MOSFET のための適切なゲート駆動電圧を生成します。このゲート駆動アーキテクチャは最大でソース 750mA、シンク 1.5A のゲート駆動電流をサポートしています。

ゲート駆動ピンの高い許容電圧はシステムの堅牢性を高めます。SHx 位相ピンは大きな負電圧過渡に耐えます。一方、ハイサイド・ゲート・ドライバ電源は BSTx および GHx ピンのさらに大きな正電圧過渡 (絶対最大定格電圧 115V) に対応できます。伝搬遅延が短く、遅延マッチング仕様によりデッドタイムの要件が最小化されるため、さらに効率が向上します。GVDD と BST の低電圧誤動作防止による低電圧保護機能がローサイドとハイサイドの両方に備わっています。

製品情報(1)
部品番号 パッケージ 本体サイズ (公称)
DRV8770PW TSSOP (20) 6.40mm × 4.40mm
DRV8770RGE VQFN (24) 4.00mm × 4.00mm
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
概略回路図 (DRV8770)