JAJSDB2 June   2017 LF356-MIL

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 AC Electrical Characteristics, TA = TJ = 25°C, VS = ±15 V
    6. 6.6 DC Electrical Characteristics, TA = TJ = 25°C, VS = ±15 V
    7. 6.7 DC Electrical Characteristics
    8. 6.8 Power Dissipation Ratings
    9. 6.9 Typical Characteristics
      1. 6.9.1 Typical AC Performance Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Large Differential Input Voltage
      2. 7.3.2 Large Common-Mode Input Voltage
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curve
    3. 8.3 System Examples
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 Printed-Circuit-Board Layout For High-Impedance Work
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 11.2 コミュニティ・リソース
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 11.5 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 利点
    • 高価なハイブリッドおよびモジュールFETオペアンプの代替
    • 堅牢なJFETにより、MOSFET入力デバイスと比較してブローアウトなしの動作
    • ソースのインピーダンスが高くても低くても、低ノイズ・アプリケーション用に最適 - 非常に低い1/fコーナー
    • ほとんどのモノリシック・アンプと異なり、オフセット調整によりドリフトや同相除去の劣化なし
    • 新しい出力段により、安定性の問題なしに大きな容量性負荷(5,000pF)を使用可能
    • 内部補償および大きな差動入力電圧能力
  • 共通機能
    • 低い入力バイアス電流: 30pA
    • 低い入力オフセット電流: 3pA
    • 高い入力インピーダンス: 1012Ω
    • 低い入力ノイズ電流: 0.01pA/√Hz
    • 高い同相除去率: 100dB
    • 大きなDC電圧ゲイン: 106dB
  • 非共通機能
    • 非常に短いセトリング時間: 0.01%まで1.5μs
    • 高いスルー・レート: 12V/µs
    • 広いゲイン帯域幅: 5MHz
    • 低い入力ノイズ電圧: 12nV/√Hz

2 アプリケーション

  • 高精度の高速インテグレータ
  • 高速D/AおよびA/Dコンバータ
  • 高インピーダンスのバッファ
  • 広帯域、低ノイズ、低ドリフト係数のアンプ
  • 対数アンプ
  • フォトセル・アンプ
  • サンプル・アンド・ホールド回路

3 概要

LF356-MILデバイスは、適切に一致した高電圧JFETを、標準バイポーラ・トランジスタと同じチップに組み入れた(BI-FET™テクノロジ)、最初のモノリシックJFET入力オペアンプです。これらのアンプは低い入力バイアス電流とオフセット電流、低いオフセット電圧とオフセット電圧ドリフト係数を特長とし、オフセット調整によってドリフト係数や同相除去が劣化しません。また、これらのデバイスは高いスルー・レート、広い帯域幅、非常に短いセトリング時間、低い電圧および電流ノイズ、低い1/fノイズ・コーナーも実現するよう設計されています。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ(公称)
LF356-MIL SOIC (8) 4.90mm×3.91mm
TO-CAN (8) 9.08mm×9.08mm
PDIP (8) 9.81mm×6.35mm
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

概略回路図

LF356-MIL 00564601.png
LF357シリーズで3pF

4 改訂履歴

日付 改訂内容 注
2017年6月 * 初版