JAJSC51E November 2004 – March 2016 LM5107
PRODUCTION DATA.
- 1 特長
- 2 アプリケーション
- 3 概要
- 4 改訂履歴
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
- 7 Detailed Description
- 8 Application and Implementation
- 9 Layout
- 10デバイスおよびドキュメントのサポート
- 11メカニカル、パッケージ、および注文情報
パッケージ・オプション
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
1 特長
- ハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを駆動
- 高いピーク出力電流（1.4Aシンク/1.3Aソース）
- 独立したTTL互換入力
- ブートストラップ・ダイオードを内蔵
- ブートストラップ電源電圧：118V DC
- 高速伝搬時間（標準27ns）
- 15nsの立ち上がり/立ち下がり時間で1000pFの負荷を駆動
- 優れた伝搬遅延マッチング（標準2ns）
- 電源レールの低電圧誤動作防止
- 低消費電力
- ISL6700とピン・コンパチブル
- パッケージ:
- SOIC
- WSON（4mm×4mm）
2 アプリケーション
- 電流供給プッシュプル・コンバータ
- ハーフ/フルブリッジのパワー・コンバータ
- ソリッド・ステート・モーター・ドライブ
- 2スイッチのフォワード・パワー・コンバータ
3 概要
LM5107は、同期降圧型またはハーフブリッジの構成においてハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを駆動するよう設計された、低コストの高電圧ゲート・ドライバです。フローティング・ハイサイド・ドライバは、最大100Vのレール電圧で動作できます。各出力は、TTL互換の入力スレッショルドによって独立に制御されます。ハイサイド・ゲート・ドライバのブートストラップ・コンデンサの充電用に高電圧ダイオードを内蔵しています。堅牢なレベル・シフタ技術により、消費電力を抑えながら高速で動作し、制御入力ロジックからハイサイド・ゲート・ドライバへのクリーンなレベル遷移を実現します。ローサイドとハイサイド両方の電源レールに低電圧誤動作防止機能が搭載されています。このデバイスは、SOICパッケージ、および熱特性を強化したWSONパッケージで供給されます。
製品情報(1)
| 型番 | パッケージ | 本体サイズ（公称） |
|---|---|---|
| LM5107 | SOIC (8) | 4.90mm×3.91mm |
| WSON (8) | 4.00mm×4.00mm |
- 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。
ブロック概略図
