JAJSC58H July   2004  – September 2016 LM5111

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. デバイスのオプション
  6. Pin Configuration and Functions
  7. Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Switching Characteristics
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Undervoltage Lockout
      2. 8.3.2 Output Stage
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 VCC
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
    1. 10.1 Bias Supply Voltage
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
    3. 11.3 Thermal Considerations
      1. 11.3.1 Drive Power Requirement Calculations in LM5111
      2. 11.3.2 Continuous Current Rating of LM5111
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 12.2 コミュニティ・リソース
    3. 12.3 商標
    4. 12.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 12.5 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • 2つのNチャネルMOSFETを独立して駆動
  • CMOSとバイポーラの複合出力によって出力電流の変動を低減
  • シンク5A、ソース3Aの電流能力
  • 2つのチャネルを並列接続して駆動電流を2倍にすることが可能
  • 互いに独立した入力(TTL互換)
  • 短い伝搬時間(標準値25ns)
  • 短い立ち上がり/立ち下がり時間: 2nF負荷で14nsおよび12nsの立ち上がりと立ち下がり時間
  • デュアル非反転、デュアル反転、および組み合わせ構成に対応
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護(UVLO)
  • LM5111-4のUVLOはOUT_A経由でPFETを、OUT_B経由でNFETを駆動するよう構成
  • 業界標準のゲート・ドライバとピン互換

アプリケーション

  • 同期整流器ゲート・ドライバ
  • スイッチ・モード電源ゲート・ドライバ
  • ソレノイドおよびモータ・ドライバ

概要

LM5111デュアル・ゲート・ドライバは、業界標準のゲート・ドライバと比較して、ピーク出力電流および効率が向上しています。複合出力ドライバの各段では、MOSとバイポーラ・トランジスタが並列で動作し、容量性負荷から5Aを超えるピーク電流をシンクします。MOSとバイポーラ・デバイスの固有の特性を組み合わせることで、電圧および温度による駆動電流の変動が低減されます。低電圧誤動作防止保護も搭載されています。入力および出力を互いに接続して2つのドライバを並列で動作させると、電流駆動能力を2倍にできます。このデバイスはSOICパッケージ、または熱的に強化されたMSOP-PowerPADパッケージで供給されます。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ(公称)
LM5111 SOIC (8) 5.00mm×6.00mm
MSOP-PowerPAD (8) 3.00mm×4.90mm
  1. 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

アプリケーション概略図

LM5111 simplified_app_diagram.gif