アクティブ・ハイまたはアクティブ・ローの出力採用、4V UVLO 搭載、5A/3A、デュアルチャネル・ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels (#) 2 Power switch MOSFET Peak output current (A) 5 Input VCC (Min) (V) 3.5 Input VCC (Max) (V) 14 Features UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A Operating temperature range (C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Prop delay (ns) 25 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting, Combination Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (Typ) 3 Driver configuration Dual, Independent
Number of channels (#) 2 Power switch MOSFET Peak output current (A) 5 Input VCC (Min) (V) 3.5 Input VCC (Max) (V) 14 Features UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A Operating temperature range (C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Prop delay (ns) 25 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting, Combination Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (Typ) 3 Driver configuration Dual, Independent
HVSSOP (DGN) 8 9 mm² 3 x 3 SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9
  • 2つのNチャネルMOSFETを独立して駆動
  • CMOSとバイポーラの複合出力によって出力電流の変動を低減
  • シンク5A、ソース3Aの電流能力
  • 2つのチャネルを並列接続して駆動電流を2倍にすることが可能
  • 互いに独立した入力(TTL互換)
  • 短い伝搬時間(標準値25ns)
  • 短い立ち上がり/立ち下がり時間: 2nF負荷で14nsおよび12nsの立ち上がりと立ち下がり時間
  • デュアル非反転、デュアル反転、および組み合わせ構成に対応
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護(UVLO)
  • LM5111-4のUVLOはOUT_A経由でPFETを、OUT_B経由でNFETを駆動するよう構成
  • 業界標準のゲート・ドライバとピン互換
  • 2つのNチャネルMOSFETを独立して駆動
  • CMOSとバイポーラの複合出力によって出力電流の変動を低減
  • シンク5A、ソース3Aの電流能力
  • 2つのチャネルを並列接続して駆動電流を2倍にすることが可能
  • 互いに独立した入力(TTL互換)
  • 短い伝搬時間(標準値25ns)
  • 短い立ち上がり/立ち下がり時間: 2nF負荷で14nsおよび12nsの立ち上がりと立ち下がり時間
  • デュアル非反転、デュアル反転、および組み合わせ構成に対応
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護(UVLO)
  • LM5111-4のUVLOはOUT_A経由でPFETを、OUT_B経由でNFETを駆動するよう構成
  • 業界標準のゲート・ドライバとピン互換

LM5111デュアル・ゲート・ドライバは、業界標準のゲート・ドライバと比較して、ピーク出力電流および効率が向上しています。複合出力ドライバの各段では、MOSとバイポーラ・トランジスタが並列で動作し、容量性負荷から5Aを超えるピーク電流をシンクします。MOSとバイポーラ・デバイスの固有の特性を組み合わせることで、電圧および温度による駆動電流の変動が低減されます。低電圧誤動作防止保護も搭載されています。入力および出力を互いに接続して2つのドライバを並列で動作させると、電流駆動能力を2倍にできます。このデバイスはSOICパッケージ、または熱的に強化されたMSOP-PowerPADパッケージで供給されます。

LM5111デュアル・ゲート・ドライバは、業界標準のゲート・ドライバと比較して、ピーク出力電流および効率が向上しています。複合出力ドライバの各段では、MOSとバイポーラ・トランジスタが並列で動作し、容量性負荷から5Aを超えるピーク電流をシンクします。MOSとバイポーラ・デバイスの固有の特性を組み合わせることで、電圧および温度による駆動電流の変動が低減されます。低電圧誤動作防止保護も搭載されています。入力および出力を互いに接続して2つのドライバを並列で動作させると、電流駆動能力を2倍にできます。このデバイスはSOICパッケージ、または熱的に強化されたMSOP-PowerPADパッケージで供給されます。

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技術資料

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設計および開発

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設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
HVSSOP (DGN) 8 オプションの表示
SOIC (D) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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