JADS324B September   2014  – July 2026 REF19

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 半田付けの熱による変動
    2. 7.2 熱ヒステリシス
    3. 7.3 ノイズ性能
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 VREF と VBIAS のトラッキング
      2. 8.3.2 低温度ドリフト
      3. 8.3.3 負荷電流
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 使用上の注意
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 シャント抵抗
        2. 9.2.2.2 差動アンプ
        3. 9.2.2.3 電圧リファレンス
        4. 9.2.2.4 結果
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準(1)REF19xx単位
DDC (SOT-23-THN)
5 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗193.6℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗40.2℃/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗34.5℃/W
ψJT接合部から上面への特性パラメータ0.9℃/W
ψJB接合部から基板への特性パラメータ34.3℃/W
RθJC(bot)接合部からケース (底面) への熱抵抗該当なし℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション ノートを参照してください。