JAJSXO0 December   2025 TLV9041D , TLV9042D

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 シングル チャネルの熱に関する情報
    5. 5.5 デュアル チャネルの熱に関する情報
    6. 5.6 電気的特性
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 動作電圧
      2. 6.3.2 レール ツー レール入出力
      3. 6.3.3 広いゲイン帯域幅積を持つ不完全補償型アーキテクチャ
      4. 6.3.4 容量性負荷および安定度
      5. 6.3.5 過負荷回復
      6. 6.3.6 EMI 除去
      7. 6.3.7 電気的オーバーストレス
      8. 6.3.8 入力および ESD 保護
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 TLV904xD ローサイド電流センシング アプリケーション
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.2.2 3V/V の非反転ゲイン
      3. 7.2.3 250kΩ ゲイントランスインピーダンス設計
        1. 7.2.3.1 設計要件
        2. 7.2.3.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.3.3 アプリケーション曲線
  9. 8 電源に関する推奨事項
  10. 9 レイアウト
    1. 9.1 レイアウトのガイドライン
    2. 9.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4.     商標
    5. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.5 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
Data Sheet

TLV904xD 3.1MHz、16µA マイクロパワー、1.2V 低電圧、電力の制約が厳しいアプリケーション向けの非補償型 RRIO アンプ

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