JAJSU60B April   2024  – June 2025 TMCS1126-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  絶縁仕様
    7. 6.7  安全関連認証
    8. 6.8  安全限界値
    9. 6.9  電気的特性
    10. 6.10 代表的特性
      1. 6.10.1 絶縁特性曲線
  8. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 精度パラメータ
      1. 7.1.1 感度誤差
      2. 7.1.2 オフセット誤差とオフセット誤差ドリフト
      3. 7.1.3 非直線性誤差
      4. 7.1.4 電源除去比
      5. 7.1.5 同相除去比
      6. 7.1.6 外部磁場エラー
    2. 7.2 過渡応答パラメータ
      1. 7.2.1 CMTI、同相電圧過渡耐性
    3. 7.3 安全動作領域
      1. 7.3.1 連続 DC または正弦波 AC 電流
      2. 7.3.2 反復的なパルス電流 SOA
      3. 7.3.3 単一イベント電流機能
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 電流入力
      2. 8.3.2 入力絶縁
      3. 8.3.3 環境磁界除去
      4. 8.3.4 高精度信号チェーン
        1. 8.3.4.1 温度安定性
        2. 8.3.4.2 寿命と環境安定性
      5. 8.3.5 内部リファレンス電圧
      6. 8.3.6 電流検出の測定可能範囲
      7. 8.3.7 過電流検出
        1. 8.3.7.1 ユーザーが構成可能な過電流スレッショルドの設定
          1. 8.3.7.1.1 電源電圧を使用した過電流スレッショルドの設定
          2. 8.3.7.1.2 電圧を使用した過電流スレッショルドの設定
          3. 8.3.7.1.3 過電流スレッショルド設定の例
        2. 8.3.7.2 過電流出力応答
        3. 8.3.7.3 過電流検出 MASK 時間
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 パワーダウンの動作
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 総誤差計算例
        1. 9.1.1.1 室温誤差の計算
        2. 9.1.1.2 全温度範囲の誤差の計算
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイスの命名規則
    2. 10.2 デバイス サポート
      1. 10.2.1 開発サポート
    3. 10.3 ドキュメントのサポート
      1. 10.3.1 関連資料
    4. 10.4 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    5. 10.5 サポート・リソース
    6. 10.6 商標
    7. 10.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 10.8 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.9 電気的特性

TA = 25°Cで、 TMCS1126Axx-Q1 で VS = 5V、TMCS1126Bxx-Q1 および TMCS1126Cxx-Q1 で VS = 3.3V (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
入力
RIN 入力導体の抵抗 IN+ から IN- へ 0.7 mΩ
RIN 入力導体抵抗の温度ドリフト TA= –40ºC ～ 125ºC 2.1 μΩ/℃
IIN,MAX 最大連続スイッチ電流(1) TA= 25℃ 80 ARMS
TA = 125℃ 44
出力
S 感度 TMCS1126x6x-Q1 15 mV/A
TMCS1126xDx-Q1 20
TMCS1126x1x-Q1 25
TMCS1126xCx-Q1 26.4
TMCS1126x7x-Q1 30
TMCS1126x9x-Q1 33
TMCS1126xBx-Q1 39.6
TMCS1126x8x-Q1 40
TMCS1126x2x-Q1 50
TMCS1126xAx-Q1 66
TMCS1126x3x-Q1 75
TMCS1126x4x-Q1 100
TMCS1126xEx-Q1 132
TMCS1126x5x-Q1 150
eS 感度誤差：グレード A TMCS1126xxA-Q1、0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V ±0.1 ±0.4 %
感度誤差：グレード B TMCS1126xxB-Q1、0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V ±0.3 ±1
Sdrift,therm 感度の熱温度ドリフト：グレード A TMCS1126xxA-Q1、0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V、TA = −40°C ～ 125°C ±20 ±50 ppm/℃
感度の熱温度ドリフト：グレード B TMCS1126xxB-Q1、0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V、TA = −40°C ～ 125°C ±40 ±100
Sdrift, life 感度の寿命ドリフト(2) 0.05V ≤ VOUT ≤ VS − 0.2V ±0.2 ±0.5 %
eNL 非直線性誤差：グレード A TMCS1126xxA-Q1、VOUT = 0.1V～VS – 0.1V ±0.1 %
非直線性誤差：グレード B TMCS1126xxB-Q1、VOUT = 0.1V～VS – 0.1V ±0.2
VOUT、0A ゼロ電流出力電圧 TMCS1126Axx-Q1、IIN = 0A 2.5 V
TMCS1126Bxx-Q1、IIN = 0A 1.65
TMCS1126Cxx-Q1、IIN = 0A 0.33
VOE 出力電圧オフセット誤差：グレード A TMCS1126x6A-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.1 ±0.8 mV
TMCS1126xDA-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.2 ±1
TMCS1126x1A-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.2 ±1
TMCS1126xCA-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.2 ±1
TMCS1126x7A-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.2 ±1
TMCS1126x9A-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.2 ±1
TMCS1126xBA-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.3 ±1.5
TMCS1126x8A-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.3 ±1.5
TMCS1126x2A-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.3 ±1.5
TMCS1126xAA-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.4 ±2
TMCS1126x3A-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.4 ±2
TMCS1126x4A-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.5 ±2.5
TMCS1126xEA-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.6 ±3
TMCS1126x5A-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.6 ±3
VOE 出力電圧オフセット誤差：グレード B TMCS1126x6B-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.4 ±1.5 mV
TMCS1126xDB-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.7 ±2
TMCS1126x1B-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.7 ±2
TMCS1126xCB-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.7 ±2
TMCS1126x7B-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.7 ±2
TMCS1126x9B-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.7 ±2
TMCS1126xBB-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.8 ±2.5
TMCS1126x8B-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.8 ±2.5
TMCS1126x2B-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±0.8 ±2.5
TMCS1126xAB-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±1 ±3
TMCS1126x3B-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±1 ±3
TMCS1126x4B-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±1.5 ±4.5
TMCS1126xEB-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±2 ±6
TMCS1126x5B-Q1、VOUT,0A − VREF、IIN = 0A ±2 ±6
VOE, drift, therm 出力電圧のオフセット 熱ドリフト TMCS1126x6x-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±10 ±30 μV/℃
TMCS1126xDx-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±10 ±30
TMCS1126x1x-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±10 ±30
TMCS1126xCx-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±15 ±40
TMCS1126x7x-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±15 ±40
TMCS1126x9x-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±15 ±40
TMCS1126xBx-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±15 ±40
TMCS1126x8x-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±15 ±40
TMCS1126x2x-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±15 ±40
TMCS1126xAx-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±20 ±50
TMCS1126x3x-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±20 ±70
TMCS1126x4x-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±30 ±80
TMCS1126xEx-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±40 ±100
TMCS1126x5x-Q1、VOUT,0A – VREF、IIN = 0A、TA = –40°C ～ 125°C ±40 ±100
IOS, drift, life オフセット寿命ドリフト(2) 入力換算、 (VOUT,0A – VREF) / S、IIN = 0A ±8 ±16 mA
PSRR 電源除去比：グレード A TMCS1126xxA-Q1、入力換算、VS = 3V ～ 5.5V、TA=-40°C ～ 125°C ±10 ±45 mA/V
電源除去比：グレード B TMCS1126xxB-Q1、入力換算、VS = 3V ～ 5.5V、TA=-40°C ～ 125°C ±40 ±80
CMTI 同相過渡電圧耐性(3) VCM = 1000V、ΔVOUT < 200mV、1µs 150 kV/μs
CMRR 同相除去比 入力換算、DC ～ 60Hz 5 μA/V
CMFR 同相の磁界を除去 均一外部磁場、入力換算、DC ～ 1kHz 10 mA/mT
入力ノイズ密度 入力換算、全帯域幅 150 μA/√Hz
CL,MAX 最大の容量性負荷 VOUTからGND 4.7 nF
短絡回路出力電流 VOUT の GND への短絡、VS への短絡 50 mA
SwingVS VS 電源レールまでスイング RL = 10kΩ ～ GND、TA= –40ºC ～ 125ºC VS - 0.02 VS - 0.05 V
SwingGND GND までスイング 5 10 mV
帯域幅と応答
BW アナログ帯域幅 -3dBゲイン 550 kHz
SR スルー レート(4) 図 7-2  に示されているように、100ns の入力ステップに対して、出力が最終値の 10％ から 90％ に達するまでの変化率 6 V/μs
tr 応答時間(4) 図 7-2 に示されているように、100ns の入力ステップおよび 1V の出力遷移に対して、入力と出力が最終値の 90％ に到達するまでの時間 250 ns
tpd 伝搬遅延(4) 図 7-2 に示すように、100ns の入力ステップと 1V の出力遷移で、入力と出力が最終値の 10% に達するまでの時間 60 ns
電流過負荷復帰時間 300 ns
内蔵基準電圧
VREF リファレンス出力電圧: グレード A TMCS1126AxA-Q1 2.496 2.5 2.504 V
TMCS1126BxA-Q1 1.647 1.65 1.653
TMCS1126CxA-Q1 0.329 0.33 0.331
リファレンス出力の熱ドリフト：グレード A TMCS1126AxA-Q1 20 50 μV/℃
TMCS1126BxA-Q1 15 33
TMCS1126CxA-Q1 3 7
リファレンス出力の寿命ドリフト：グレード A TMCS1126AxA-Q1 ±1.3 ±2.5 mV
TMCS1126BxA-Q1 ±0.9 ±1.7
TMCS1126CxA-Q1 ±0.3 ±0.5
VREF リファレンス出力電圧: グレード B TMCS1126AxB-Q1 2.49 2.5 2.51 V
TMCS1126BxB-Q1 1.64 1.65 1.66
TMCS1126CxB-Q1 0.32 0.33 0.34
リファレンス出力の熱ドリフト：グレード B TMCS1126AxA-Q1 40 100 μV/℃
TMCS1126BxA-Q1 25 65
TMCS1126CxA-Q1 5 15
リファレンス出力の寿命ドリフト：グレード B TMCS1126AxB-Q1 ±3 ±5 mV
TMCS1126BxB-Q1 ±2 ±3.5
TMCS1126CxB-Q1 ±0.6 ±1
リファレンス出力電圧 PSRR VS = 3 V～5.5 V 80 150 μV/V
最大リファレンス出力 容量性負荷 20 nF
基準出力電圧負荷レギュレーション VREF load = -5mA、0mA、5mA 0.25 mV/mA
過電流を検出
VOC 過電流検出スレッショルド電圧 VOC = S x IOC / 2.5 0.3 VS V
ROC 過電流ス入力インピーダンス 120 kΩ
過電流ヒステリシス TMCS1126x6x-Q1 8.4 A
TMCS1126xDx-Q1 8.4
TMCS1126x1x-Q1 4.5
TMCS1126xCx-Q1 4.5
TMCS1126x7x-Q1 3.6
TMCS1126x9x-Q1 3.4
TMCS1126xBx-Q1 4.7
TMCS1126x8x-Q1 4.7
TMCS1126x2x-Q1 3.5
TMCS1126xAx-Q1 2.5
TMCS1126x3x-Q1 2.2
TMCS1126x4x-Q1 1.4
TMCS1126xEx-Q1 2.7
TMCS1126x5x-Q1 2.7
IOC 誤差 TA = –40℃～125℃ ±2 ±10 %
過電流検出応答時間 IIN ステップ = IOCの 120% 100 250 ns
tMASK 過電流検出 MASK 時間(5) TMCS1126xx1 および TMCS1126xx2、IIN ステップ = IOC の 120% 1.25 μs
OC,OL OC ピンのプルダウン電圧 IOL = 3mA。TA = –40℃～125℃ GND 0.07 0.2 V
電源
VS 電源電圧 TA = –40ºC ～ 125ºC 3.0 5.5 V
IQ 静止電流 TA = 25℃ 11 14 mA
TA = –40ºC ～ 125ºC 14.5 mA
パワーオン時間 VS > 3V から有効な出力までの時間 34 ms
(1) 接合部温度により熱的に制限されます。「絶対最大定格」を参照。デバイスが TMCS1126xEVM に取り付けられているときに適用されます。詳細については、「安全動作領域」セクションを参照してください。
(2) 3 ロットの AEC-Q100 認定ストレス試験結果に基づく寿命および環境ドリフトの仕様。標準値は、ワーストケースのストレス試験条件からの母集団平均 +1σ です。最大値は、テスト対象デバイスの母集団平均 ±6 σ です。AEC-Q100 認定でテストされたデバイスは、すべてのストレス条件で最大制限内にとどまりました。詳細については、「寿命と環境安定性」を参照してください。
(3) 同相過渡応答の詳細については、「同相過渡耐性」セクションを参照してください。
(4) デバイスの周波数と過渡応答の詳細については、過渡応答パラメータセクションを参照してください。
(5) マスクによる過電流応答時間の詳細については、過電流検出マスク時間 セクションを参照してください。